C3M0160120D碳化硅MOSFET

晶体管碳化硅MOSFET

型号： C3M0160120D

--- 产品参数 ---

漏源电压 1200V
栅极-源极电压动态 -8/+19V
栅极-源极电压动态: -4/+15V
脉冲漏极电流 250A
功耗 556W
工作结温和存储温度 -40to+175˚C
焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

C3M0160120D为1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。业内最广泛的 1200 V SiC MOSFET 产品组合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代技术；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。

优点
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率

特征
• 第三代 SiC MOSFET 技术
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准

应用
• 太阳能逆变器
• EV 电机驱动
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• 负载开关

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