C3M0040120J11200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代技术；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。
优点
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• 第三代 SiC MOSFET 技术
• 具有独立驱动源引脚的优化封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 8mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 数据中心和电信电源
• 电动汽车电池充电器
• 高压 DC/DC 转换器
• 储能系统
• 太阳能逆变器
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