C3M0065100J碳化硅MOSFET

Wolfspeed 碳化硅MOSFET

型号： C3M0065100J

--- 产品参数 ---

漏源电压 1000V
栅极 -源极电压静态 -4/+15V
栅极 -源极电压动态 -8/+19V
脉冲漏极电流 90A
雪崩能量，单脉冲 110mJ
功耗 113.5W
工作结温和存储温度 -55to +150˚C
焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。

1000 V 碳化硅 MOSFET 通过提供具有低导通电阻的独特器件解决了许多电源设计挑战；非常低的输出电容；低源电感，完美融合了低开关损耗和低导通损耗。与基于硅的解决方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技术可提高系统功率密度；更高的开关频率；减少组件数量；减小电感器等组件的尺寸；电容器；过滤器和变压器。

好处
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率

特征
• C3MTM SiC MOSFET 技术
• 低寄生电感，带有独立的驱动器源极引脚
• 漏极和源极之间的爬电距离为 7mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 低输出电容 (60pF)
• 无卤素，符合 RoHS 标准

应用
• 再生能源
• 电动汽车电池充电器
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源

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