CG2H40025F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree 晶体管

型号： CG2H40025F

--- 产品参数 ---

频率高达 6 GHz 的操作
增益 2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益
增益 4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益
PSAT功率 30 W 典型 PSAT
PSAT效率 PSAT 70% 的效率
电压 28 伏操作

--- 产品详情 ---

CG2H40025 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CG2H40025 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管可旋入；法兰封装和焊接药丸封装。

特征
高达 6 GHz 的操作
2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益
4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益
30 W 典型 PSAT
PSAT 70% 的效率
28 伏操作

应用
2路私人收音机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A类；乙; 适用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形

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