CG2H30070F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配，可在 0.5-3.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该器件采用 2 引线金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。
特征
0.5 – 3.0 GHz 应用电路
28 V 时 POUT 典型值为 85 W
10分贝功率增益
58% 排水效率
内部匹配
应用
宽带放大器
电子反措施
信号干扰
米尔康
雷达
数据链接
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