CMPA0060002D氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree

型号： CMPA0060002D

--- 产品参数 ---

增益 17 dB 小信号增益
工作电压 2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
电压高击穿电压
操作高温操作
尺寸尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

--- 产品详情 ---

Cree 的 CMPA0060002D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子基于移动晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路（MMIC）。与硅相比，GaN 具有更优越的性能或砷化镓，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽与 Si 和 GaAs 晶体管相比。该 MMIC 采用分布式（行波）放大器设计方法，使极宽的带宽可以在很小的空间内实现。

特征
17 dB 小信号增益
2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器

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