HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输出IP3，再结合1.4:1的低VSWR，因此HMC455LP3(E)成为适合PCS/3G无线基础设施的理想驱动放大器。 这款线性放大器采用低成本的无引脚3x3 mm QFN表面贴装封装(LP3)。 LP3提供裸露基极以实现出色的RF和散热性能。
输出IP3： +42 dBm
增益： 13 dB
PAE为56%（Pout为+28 dBm时）
+19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP为-45 dBc时）
3x3 mm QFN SMT封装
应用
多载波系统
GSM、GPRS和EDGE
CDMA和WCDMA
PHS
HMC455LP3ETR HMC455LP3E
