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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识,行业应用和解决方案,以及电子相关的行业资讯。

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动态

  • 发布了文章 2024-10-08 11:26

    如何克服裸芯片动态特性表征中的挑战,实现高效测量?

    功率半导体器件以多种形式使用——封装为表面贴装器件(SMD)或功率模块——广泛应用于各种场景。功率半导体中包含的裸芯片必须在被放入封装或功率模块之前进行特性表征,以加速开发。然而,裸芯片的尺寸小、结构脆弱,以及探针引起的寄生效应,使得这一过程面临多重挑战。功率半导体器件最初在晶圆上制造,之后进行切割和封装,才能用于实际的电力电子电路。在制造过程的早期阶段进行
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  • 发布了文章 2024-09-06 11:39

    如何通过第八代IGBT技术推动可再生能源的未来?

    绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术对于高功率应用中的高效率至关重要,特别是在阻断电压超过600V的情况下。可再生能源领域,如光伏(PV)和储能系统(ESS),在应对全球变暖方面取得了显著增长,推动了对功率半导体的需求。对高功率等级逆变器的需求正在增加。工程师必须在有限的空间内设计高功率系统,这就需要IGBT模块在保持既定封装尺寸的同时提供更高的输出功率。201
  • 发布了文章 2024-09-05 11:29

    全球半导体行业迎来强劲复苏,AI浪潮成关键驱动力

    据美国半导体产业协会(SIA)发布的最新数据显示,7月全球半导体行业销量实现了显著增长,当月销售额飙升至513亿美元,较去年同期的432亿美元大幅增长了18.7%,环比增长也达到了2.7%。这一积极信号标志着半导体市场在经历了一段时间的波动与挑战后,正式步入复苏快车道。这一轮复苏的背后,AI人工智能技术的蓬勃发展无疑扮演了至关重要的角色。随着AI技术的不断突
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  • 发布了文章 2024-09-05 11:25

    同步整流如何提升电源转换器的性能和效率

    同步整流(Synchronous Rectification,简称SR)是一种电源设计技术,通过用MOSFET替代传统二极管来提高效率和性能。与使用肖特基二极管的非同步转换器不同,SR使用MOSFET代替二极管,从而减少电压降和功率损耗。
  • 发布了文章 2024-09-03 10:39

    罗姆半导体推动SiC MOSFET技术进步,与吉利汽车展开深度合作

    近日,罗姆半导体(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功应用于吉利电动车品牌极氪的三款车型中,标志着双方合作进入了一个新的发展阶段。这项合作不仅展示了罗姆在SiC技术领域的持续创新,也为电动汽车行业提供了更高效的解决方案。吉利与罗姆的合作已持续六年,此次合作的亮点在于首次将SiC元件引入极氪车型。具体而言,这三款车型包括了运动型多功能车(SUV)“X”
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  • 发布了文章 2024-09-03 10:37

    如何通过创新封装技术提升功率器件性能

    由于对提高功率密度的需求,功率器件、封装和冷却技术面临独特的挑战。在功率转换过程中,高温和温度波动限制了设备的最大功率能力、系统性能和可靠性。本文将总结两种不同的技术,以最大化功率模块和器件的热性能和功率密度。非隔离芯片组装与直接液冷半导体功率模块通常由安装在直接铜键合(DCB)基板上的功率器件芯片组成。对于中高功率模块,这种基板一般是电绝缘陶瓷,如氧化铝(
  • 发布了文章 2024-08-30 11:11

    广东建工投资18.46亿元兴建398MW光伏发电项目

    近日,广东建工宣布将通过旗下全资子公司广东水电二局的全资子公司东南粤水电,投资兴建一个规模可观的光伏发电项目。这一项目位于韶关市浈江区花坪镇犁市镇,规划总容量为398MW,预计总投资额高达18.46亿元人民币。据悉,该光伏电站建设期预计为12个月,完成后将进入长达25年的生产运行期。项目规划周密,共分为20个子项目,总备案容量达到398MW,彰显了其庞大的发
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  • 发布了文章 2024-08-30 11:03

    突破性电流传感器技术:实现高精度与低功耗的完美结合

    电流测量是评估、控制和诊断电子系统运行效率中最常见的参数之一。尽管电流测量非常普遍,但设计人员在测量电流时,若低估了多个变量的细微差别,可能会导致问题。顶尖工程师使用碳化硅MOSFET模块设计高度效率的逆变器,以满足以下设计标准。电流传感器也需要设计成低功耗和紧凑的尺寸,因为这是最重要的设计标准。电流传感器的测量方法电流测量主要有两种技术:分流电阻和霍尔效应
  • 发布了文章 2024-08-29 11:47

    小米重新投入芯片自主研发,预计2025年将推出手机定制SoC

    近日,有业内消息人士爆料称,小米正在积极开发自有芯片,这一消息无疑让业界为之一振。预计在2025年上半年,小米将正式推出其首款定制手机SoC芯片解决方案。这一举措不仅标志着小米在移动芯片领域迈出关键一步,也表明其在自主芯片研发之路上正稳步推进。根据爆料信息,小米研发的这款芯片性能水平将与高通骁龙8Gen1相当。众所周知,骁龙8Gen1是高通2021年底发布的
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  • 发布了文章 2024-08-29 11:45

    如何有效减轻高压电动汽车栅极驱动器的故障

    高压栅极驱动器在确保电动汽车的电力流动可靠控制方面至关重要。从控制逆变器的IGBT或MOSFET的开关到监测和管理电池的充电状态、健康状况和热条件,高压驱动器确保对开关事件的精确控制。电动机控制单元和车载充电器也受益于这些驱动器,使其成为电动汽车功能的重要组成部分。然而,这些高压驱动器并非完全不易故障,让我们来看看这些故障及其解决方案。栅极驱动器中的过电压和

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认证信息: 浮思特科技

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公司介绍:深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业,为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售,专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示,4大领域的方案研发,为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验,内部流程完整、组织架构清晰,服务客户超万位。有专利信息11条,著作权信息41条,是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

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