罗姆半导体推动SiC MOSFET技术进步，与吉利汽车展开深度合作

近日，罗姆半导体(ROHM)宣布其第四代SiC MOSFET成功应用于吉利电动车品牌极氪的三款车型中，标志着双方合作进入了一个新的发展阶段。这项合作不仅展示了罗姆在SiC技术领域的持续创新，也为电动汽车行业提供了更高效的解决方案。

吉利与罗姆的合作已持续六年，此次合作的亮点在于首次将SiC元件引入极氪车型。具体而言，这三款车型包括了运动型多功能车(SUV)“X”、迷你厢型车“009”以及运动旅行车“001”。SiC MOSFET的应用有望显著提升这些电动车的性能和能效，满足消费者对高效能、长续航的需求。

SiC(碳化硅)技术近年来在电动汽车和可再生能源领域得到广泛关注。与传统硅器件相比，SiC MOSFET具有更高的电压承受能力、更低的能量损耗以及更高的工作温度。这些优点使其成为电动汽车电源管理系统的理想选择。通过优化能量转换效率，SiC MOSFET能够帮助电动车提升续航里程，从而在竞争激烈的市场中占据一席之地。

罗姆半导体不仅致力于推动第四代SiC MOSFET的应用，还计划于2025年推出第五代产品。同时，罗姆还在加快第六代和第七代器件的市场推广。这一系列创新将进一步增强SiC MOSFET在电动汽车及其他高性能应用中的地位。

值得一提的是，罗姆半导体通过提供裸芯片、分立元器件和模块等多种形式的SiC产品，能够满足不同客户的需求，推动SiC技术的广泛采用。这一策略不仅有助于提升自身的市场竞争力，还有助于实现可持续发展的社会目标。

在电动汽车越来越成为未来出行主流的背景下，SiC MOSFET的应用无疑为电动汽车行业的技术进步提供了强大助力。罗姆与极氪的合作证明了全球电动汽车制造商对先进半导体技术的追求。随着技术的不断演进，未来的电动车将更具性能、更为环保，满足消费者日益增长的需求。

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