深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2024-08-28 10:58

  GaN HEMT技术引领储能系统革命，国内企业积极布局

  

  随着5G通信和电力电子技术的迅猛发展，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)凭借其卓越的物理和化学特性，逐渐成为储能系统和电力电子器件的重要材料。业内专家指出，GaNHEMT的高开关频率和低导通电阻，使其在DC-DC转换器、逆变器和整流器等应用中表现优异，有望显著提升储能系统的整体效率，减少能量损失。GaNHEMT作为一种新型半导体材料，具有出色的电气特

  GaN 储能系统 晶体管

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• 发布了文章 2024-08-28 10:57

  如何通过低功耗电子技术应对能源挑战与环境危机

  

  低功耗电子学是一个迅速发展的领域，对于解决当今的能源挑战至关重要。从手机到电动车，所有设备都参与了这一进步。效率是这一领域的核心理念，引导着低功耗设计的关键原则，采用新兴技术和策略，以最大化所有电气和电子应用中的能效。使用能耗较低的设备显然比使用高能耗的设备更为有利，原因多种多样，包括热量散失、电费成本、空气污染和电池续航。设计一款关注低能耗的设备无疑意味着

  低功耗 电子元件 能源

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• 发布了文章 2024-08-27 11:47

  Nexperia、东芝和Navitas扩展MOSFET产品线以应对高效能需求

  

  随着电动车、可再生能源和数据中心等领域对高效、高性能组件需求的持续上升，电源管理系统的复杂性也随之增加，市场对更先进和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。对此，Nexperia、东芝和Navitas等公司纷纷扩展了各自的MOSFET产品线，以满足行业的挑战和机遇。Navitas、东芝和Nexperia的新型MOSFETNexperia最近扩展了其NextPowe

  MOSFET Nexperia 东芝

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• 发布了文章 2024-08-27 11:46

  半导体技术如何推动现代医疗电子的发展

  

  在过去几十年中，医疗技术不断进步，促使医疗行业在当前时代经历了彻底的变革。创新半导体在电子元件中的广泛应用迅速为开发高度复杂的医疗仪器打开了大门，这些仪器能够高效地诊断和管理各种病理状况。持续的小型化电子元件的努力，促成了更小、更可穿戴或便携的医疗设备的发展，使得患者可以进行持续而细致的监测，为大多数患者提供在家护理的便利，而不牺牲医疗监督的质量。可穿戴和便

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• 发布了文章 2024-08-23 11:09

  特斯拉上海超级工厂建设加速，Megapack电池产能蓄势待发

  

  近日，特斯拉公司全球副总裁陶琳(Grace)通过其社交媒体平台透露，位于中国上海的特斯拉新超级工厂建设正以前所未有的速度推进，当前工程进度已顺利达到45%，特斯拉的目标是将生产时间表定在2025年第一季度，标志着这一瞩目的项目正稳步迈向新的里程碑。回溯至去年，特斯拉与上海临港新区成功达成了具有深远意义的合作协议，并在年底举行了盛大的正式签约仪式，为特斯拉在中

  储能 特斯拉 电池

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• 发布了文章 2024-08-23 11:02

  GaN FET(场效应晶体管)中集成电流传感的优势

  

  本文重点介绍了一项新发展：将电流传感(CS)直接集成到采用PDFN封装的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)中，且无需外部供电。我们将深入探讨这一解决方案的优势、性能以及通过60W适配器电子验证板获得的实验结果。集成电流传感器与外部电流传感电阻的比较在电力电子应用中，例如反激式变换器或功率因数校正(PFC)，通常需要检测开关电流，以实现峰值/谷值电流模式控

  GaN 传感器 场效应晶体管 电流传感

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• 发布了文章 2024-08-20 11:34

  新能源汽车充电技术的未来：高功率车载充电机(OBC)的崛起

  

  在全球汽车行业经历电动化转型的浪潮中，新能源汽车的充电效率和便捷性成为了消费者关注的焦点。当前，大多数新能源汽车的车载充电机(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之间，面对日益增大的电池容量，这一功率水平显得捉襟见肘。为了满足未来电动车的充电需求，行业内已经开始着手开发功率更高的OBC方案，目标功率范围在11kW至22kW之间，这将为电动车的快速充电提供更强

  OBC 充电技术 新能源汽车 车载充电机

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• 发布了文章 2024-08-20 11:05

  SiC FET在固态断路器应用中的冲击电流处理能力

  

  固态断路器(SSCB)相比于传统的电机械断路器具有多种优势。基于宽带隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的SSCB可以在许多应用中扩大其竞争优势。SSCB的优势传统的电机械断路器依靠电磁作用进行短路检测和中断，同时利用双金属作用实现过载电流保护。电磁效应依赖于线圈和接点，涉及多个运动部件。故障限制响应时间通常在几毫秒左右，具体取决于额定值和使

  SiC 固态 断路器 短路检测器

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• 发布了文章 2024-08-19 11:33

  台积电斥资171.4亿新台币收购Innolux工厂，加速先进封装产能扩张

  

  全球领先的半导体制造巨头台积电，在持续扩大其生产版图方面迈出了重要一步。据LibertyTimesNet于8月15日的最新报道，台积电正式宣布已完成对先进封装及面板制造商Innolux位于台湾南部科学园区的一座重要工厂的收购，交易金额定为171.4亿新台币，远低于市场普遍预期的200亿新台币水平，展现了其高效的资本运作能力。此次收购的工厂占地面积超过96,0

  TSMC 半导体 台积电

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• 发布了文章 2024-08-19 11:31

  提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

  

  近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET的设计成功主要发生在低功率到20kW范围内的电力转换器中，这些通常是全新设计，这一趋势主要是由于提高光伏逆变器和其他工业电源应用的效率的需求。图1设计师们现在正在使用市面上可用的高功率全SiC电力模块和驱动器

  IGBT IGBT模块 SiC 电力转换器

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