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• 发布了文章 2024-11-28 17:14

  LED驱动电源设计四大问题汇总

  

  LED驱动电源的质量好坏将会直接影响LED的寿命，因此如何做好一个LED驱动电源是LED电源设计者的重中之重。在现代生活中，节能和环保日益受到重视，LED照明因其高效节能的特性而广泛被采用。LED灯具的使用寿命不仅取决于其自身的质量，还与其电源驱动的性能密切相关。一个稳定可靠的LED驱动电源对于延长LED的使用寿命至关重要。LED驱动电源直接影响寿命LED驱

  led 电源设计 驱动电源

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• 发布了文章 2024-11-28 17:13

  EBSD技术在样品制备中的应用：揭示材料微观结构的关键工具

  

  EBSD技术概述电子背散射衍射技术（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一种高精度的材料表征手段，常作为扫描电子显微镜（SEM）的补充设备使用。它能够详细分析材料的晶体取向、晶界特性、再结晶行为、微观结构、相态识别以及晶粒尺寸等关键信息。金鉴织构取向分析示意图设备与服务高性能的TF20场发射透射电镜，这些电镜配备了能谱仪

  显微镜 材料

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• 发布了文章 2024-11-28 17:12

  解析电压暂降和短时中断抗扰度试验

  

  电压暂降和短时中断抗扰度试验电压暂降和短时中断抗扰度试验（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于评估电子设备或系统对电力系统中电压暂降和短时中断的抗扰度的测试方法。该测试方法旨在模拟电力系统中可能发生的电源故障，以验证设备在这些故障下的正常运行和稳定性。电压暂降是指电力系统中电源电压短时间内降低到较低水

  抗扰度试验 电压暂降 电子设备

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• 发布了文章 2024-11-28 17:11

  FIB技术：芯片失效分析的关键工具

  

  芯片失效分析的关键工具在半导体行业迅速发展的今天，芯片的可靠性成为了衡量其性能的关键因素。聚焦离子束（FIB）技术，作为一种先进的微纳加工技术，对于芯片失效分析至关重要。在芯片失效分析中的核心作用FIB技术能够实现纳米级别的精确加工和分析，这对于解析高度集成和结构复杂的现代芯片至关重要。通过FIB技术，工程师们可以对芯片进行细致的切割和剖面制作，清晰地揭示芯

  fib 半导体 芯片失效分析

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• 发布了文章 2024-11-27 12:11

  半导体快速温变测试的温度循环控制标准

  

  半导体材料简介半导体材料是一类具有介于导体和绝缘体之间的导电能力（电阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之间）的材料，广泛应用于制造半导体器件和集成电路。根据化学组成，半导体材料可以分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体，以及特殊的非晶态与液态半导体。这些材料以结构稳定、电学特性优异和成本低廉著称，是制造现代电子设备中不可或缺的场效应晶体管的理想材料

  IPC 半导体 测试

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• 发布了文章 2024-11-27 12:09

  FIB技术应用领域及工作原理解析

  

  集成化微纳加工平台双束聚焦离子束-扫描电子显微镜（FIB-SEM）系统代表了微纳加工技术的前沿，它巧妙地融合了单束FIB和SEM的优势，为用户提供了一个多功能的集成化平台。这个平台不仅能够进行高分辨率的成像，还能执行精准的材料加工操作。系统架构1.离子发射器：生成正电荷离子流。2.离子光学系统：利用静电透镜和偏转元件对离子流进行精确聚焦和导向。3.扫描控制系

  fib SEM 显微镜

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• 发布了文章 2024-11-27 12:07

  氩离子抛光技术解析：原理、功能及应用

  

  原理、功能及在材料科学中的应用氩离子抛光仪是一种高精度的表面处理设备，它通过氩离子束对样品进行精密抛光，以揭示样品表面的微观结构。这种技术在材料科学、半导体分析、生物医学研究等领域中扮演着至关重要的角色，尤其是在需要使用高分辨率显微镜进行观察的场合。运作机制氩离子抛光技术基于离子束物理蚀刻原理，对样品表面进行细致的抛光处理。这一技术能够有效地消除样品制备过程

  抛光机 表面处理

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• 发布了文章 2024-11-26 11:52

  什么是AEC-Q200认证？

  

  AEC-Q200认证是由汽车电子协会（AutomotiveElectronicsCouncil，简称AEC）制定的一套标准，其目的在于确保汽车电子部件的可靠性和质量。AEC是由克莱斯勒、福特和通用汽车等主要汽车制造商与美国主要部件制造商共同成立的组织，旨在为车载电子部件的可靠性和认定标准的规格化提供统一的标准。在2023年3月20日，AEC发布了最新的无源元

  AEC 汽车电子 认证

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• 发布了文章 2024-11-26 11:51

  利用EBSD技术精确分析晶粒尺寸与晶界特征

  

  晶粒尺寸与晶界特征晶粒作为材料中的基本结构单元，其尺寸和取向对材料的性能有着深远的影响。晶粒内部的取向相对一致，而相邻晶粒之间则存在明显的取向差异。晶粒尺寸的测量对于材料的开发和应用至关重要，因为它直接关系到材料的强度和韧性。EBSD技术以其高分辨率的晶界成像能力，成为研究晶粒尺寸和晶界特征的首选方法。随机颜色显示晶粒分布图晶粒尺寸的精确测量为了获得晶粒尺寸

  显微镜 晶粒 测量

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• 发布了文章 2024-11-26 11:49

  TEM透射电子显微镜下的两种照射模式解析

  

  成像原理与应用透射电子显微镜（TransmissionElectronMicroscope,TEM）是一种利用高能电子束穿透样品，通过电子与样品相互作用产生的信号来获取样品的微观结构信息的仪器。TEM的成像方式主要依赖于电子光源的模式，包括平行光照射模式和汇聚光照射模式。(a)高能电子束与样品相互作用产生信号(b)TEM近似平行光路示意图(c)TEM汇聚束聚

  TEM 显微镜 电子束

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