深圳市骊微电子科技

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• 上传了资料 2022-05-18 14:36

  100v耐压mos管SVG103R0NS规格书参数详情-骊微

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• 发布了产品 2022-05-18 14:31

  100v低压mos管SVG103R0NS关键参数 士兰微mos代理

  

  产品型号：SVG103R0NS 品牌：士兰微 型号：SVG103R0NS 耐压：100V

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• 上传了资料 2022-05-17 14:23

  NCP1342国产化65W氮化镓pd充电器方案-PN8213

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• 发布了产品 2022-05-17 14:17

  NCP1342替代料PN8213 65w氮化镓充电器芯片方案

  

  产品型号：NCP1342 品牌：芯朋微 型号：PN8213 封装：SSOP

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• 发布了文章 2022-05-17 11:16

  NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213

  

  自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器，市场上便掀起了GaN“快充风”，目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，基本上都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,

  驱动

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• 发布了文章 2022-05-07 11:36

  NCP1342替代料PN8213 65W氮化镓pd充电器方案

  

  氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇，在氮化镓快充市场迅速增长之际，65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点，从而率先成为了各大品牌的必争之地，ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片，适用于65w氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■Valle

  充电器

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• 发布了文章 2022-05-04 16:41

  30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5

  

  MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输

  MOS管

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• 发布了文章 2022-04-28 15:07

  降压eup3270芯片4A输出QC3.0快充方案

  

  EUP3270是一款能够驱动4A连续负载并带有优良线性和负载调整率的的同步降压型变换器，故障保护包括电流限制，短路保护和热关断。内部软启动系统能够在芯片启动过程实现小的浪涌电流和输出过冲。降压eup3270芯片特点■4.5V到30V宽输入电压范围■80KHz到800KHz的的开关频率可调■CC/CV的模式控制■达到4A的输出电流■+/-1.5%电压基准精度■

  芯片

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• 上传了资料 2022-04-27 16:58

  ncp1252a代换料驱动电源模块芯片cr1252a

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• 发布了产品 2022-04-27 16:53

  ncp1252a代替料启达启臣微CR1252A正激式开关电源控制芯片

  

  产品型号：CR1252A 品牌：启臣微 型号：CR1252A 封装：SOP-8

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