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• 发布了文章 2022-04-26 17:32

  60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA

  

  SVGP069R5NSA采用sop-8封装，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，14A、60V的电流、电压，RDS(on)=8.0mΩ(typ)，最高栅源电压@VGS=±20V，典型应用于10W-44W快充。60vmos管SVGP069R5NSA特点■开关速度快■提升了dv/dt能力■低栅极电荷■低反向传输电容■14A,60V,RDs(o

  MOS管

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• 上传了资料 2022-04-26 16:55

  无锡安趋半桥驱动芯片ID2206D代换 ir2106驱动芯片

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• 发布了产品 2022-04-26 16:53

  IR2106变频电机驱动芯片替代芯片ID2206D 600V半桥驱动芯片

  

  产品型号：ID2206DSEC-R1 工作电压：10 V ~20 V 输出电流：210 mA / 360mA

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• 上传了资料 2022-04-26 16:37

  PN8166+PN8309H小体积45w快充方案-芯朋微代理

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• 发布了产品 2022-04-26 16:35

  PN8166

  

  产品型号：PN8166低功耗高集成45w快充芯片方案 品牌：芯朋微 型号：PN8166 封装：SSOP10

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• 上传了资料 2022-04-26 16:08

  PN8165低成本精简外围30w快充方案-芯朋微代理

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• 发布了产品 2022-04-26 16:05

  PN8165低功耗高集成30w快充设计方案

  

  产品型号：PN8165 品牌：芯朋微 型号：PN8165 封装：PDFN5×6/SOP8

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• 上传了资料 2022-04-25 11:24

  SSF65R650S2场效应管超致cool mos参数及功能

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• 发布了产品 2022-04-25 11:21

  SSF65R650S2场效应管超结MOS导通内阻0.55Ω

  

  产品型号：SSF65R650S2 品牌：超致 型号：SSF65R650S2 封装：TO-220F、TO-220、TO-250

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• 发布了文章 2022-04-21 17:38

  60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA

  

  MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管是市面上最常见之一，在实际使用的过程中，MOS管既可用于放大电流，又可以作为电子开关。SVGP069R5NSA贴片mos60v特点■14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输电容■开关速度快■提升了dv/dt能力SV

  MOS管

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