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发布了产品 2022-05-18 11:01
CGHV1F006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)C波段测试板
产品型号：CGHV1F006S-AMP1 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：17 dB189浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 10:42
CGHV1F006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGHV1F006S 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益;557浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 10:06
CMPA0060002D氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信号增益 工作电压：2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压362浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 09:44
CMPA0060002F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压299浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 18:34
CMPA0060002F晶体管 (HEMT)
产品型号：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压特性：高击穿电压572浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 12:09
CMPA0060002F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)
产品型号：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信号增益 电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压457浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 11:12
CMPA0530002S高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)
产品型号：CMPA0530002S 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：2.9 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压244浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 09:34
CMPA0060002F1高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CMPA0060002F1 增益：17 dB 小信号增益 PSAT：3 W 典型 PSAT 工作电压： 28 V413浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 08:00
HMC652LP2E固定衰减器
产品型号：HMC652LP2E 固定衰减电平：2、3、4和6 dB 宽带宽： DC - 25 GHz 功率处理：+25 dBm380浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 07:51
HMC985A数字步进衰减器
产品型号：HMC985A 宽带宽：20 - 50 GHz 出色的线性度：+32 dB输入IP3 宽衰减范围：37 dB118浏览量
