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发布了产品 2022-05-18 15:38
CG2H40010F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CG2H40010F-AMP 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益458浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 15:35
CG2H40010P高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40010P 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益295浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 15:28
CG2H40010F高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40010F 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益945浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 15:08
CGH60008D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA：8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA：5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐压性：高击穿电压545浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 14:36
CGHV1J006D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGHV1J006D-GP4 增益：17分贝典型。10 GHz 时的小信号增益 PAE：60% 典型值。10 GHz 时的 PAE Psat：6 W 典型 Psat423浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 14:16
CGH40006P-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CGH40006P-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益295浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 14:14
CGH40006P氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGH40006P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益698浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 12:02
CGH40006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CGH40006S-AMP1 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益253浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 11:55
CGH40006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGH40006S 频段：高达 6 GHz 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益448浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 11:14
CGHV1F006S-AMP3高电子迁移率晶体管 (HEMT)X波段测试板
产品型号：CGHV1F006S-AMP3 频段：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益223浏览量
