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• 发布了产品 2022-06-27 17:26

  CMPA1D1E025F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA1D1E025F-AMP 小信号增益：24 dB 典型脉冲 PSAT：40 W 工作电压高达： 40 V

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• 发布了产品 2022-06-27 17:23

  CMPA1D1E025F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA1D1E025F 小信号增益：24 dB 典型脉冲 PSAT：40 W 工作电压：高达 40 V

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• 发布了产品 2022-06-27 17:17

  CMPA1C1D080F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA1C1D080F 90 W 典型 P： >21% 典型功率附加效率 小信号增益： 25 dB 总输出功率：-30 dBc IM3 时总输出功率为 20 W

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• 发布了产品 2022-06-27 17:02

  CMPA1C1D060D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA1C1D060D 小信号增益：26 dB 典型 PSAT：60 W 工作电压高达： 40 V

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• 发布了产品 2022-06-27 16:43

  CMPA0060025F1-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA0060025F1-AMP 小信号增益：18 dB 工作电压高达： 50 V 击穿电压：高

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• 发布了产品 2022-06-27 16:41

  CMPA0060025F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA0060025F-AMP 小信号增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作电压高达： 50 V

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• 发布了产品 2022-06-27 16:39

  CMPA0060025F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA0060025F1 小信号增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作电压：高达 50 V

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• 发布了产品 2022-06-27 16:37

  CMPA0060025F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA0060025F 小信号增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作电压高达： 50 V

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• 发布了产品 2022-06-27 16:34

  CMPA0060025D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA0060025D 小信号增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作电压：高达 50 V

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• 发布了产品 2022-06-27 16:24

  CGHV96130F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGHV96130F 操作频率：8.4 – 9.6 GHz POUT 典型值：145 W 功率增益：10分贝

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