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• 发布了产品 2022-06-29 10:01

  CMPA5259025F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板

  

  产品型号：CMPA5259025F-AMP 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V

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• 发布了产品 2022-06-29 09:59

  CMPA5259025S HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA5259025S 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V

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• 发布了产品 2022-06-29 09:57

  CMPA5259025F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA5259025F 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V

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• 发布了产品 2022-06-29 09:43

  CMPA3135060S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA3135060S 操作频率：3.1 - 3.5 GHz 典型输出功率：75 W 功率增益：29 分贝

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• 发布了产品 2022-06-29 09:32

  CMPA2935150S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA2935150S 效率：高功率附加效率 典型 PSAT：190 W 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:53

  CMPA801B030F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板

  

  产品型号：CMPA801B030F-AMP 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:51

  CMPA801B030D1 HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030D1 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:49

  CMPA801B030S HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030S 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:47

  CMPA801B030F1 HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030F1 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:45

  CMPA801B030F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030F 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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