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发布了产品 2022-05-24 11:21
CG2H80045D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 击穿电压：高击穿电压181浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 10:52
CG2H80030D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压271浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 10:40
CG2H80015D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压326浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 10:04
CG2H40120F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CG2H40120F-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益209浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 10:01
CG2H40120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40120F 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益429浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 09:58
CG2H40120P高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40120P 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益225浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 09:23
CG2H40045F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CG2H40045F-AMP 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益235浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 09:18
CG2H40045F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40045F 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益533浏览量 -
发布了产品 2022-05-24 09:16
CG2H40045P高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CG2H40045P 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益274浏览量 -
发布了产品 2022-05-23 22:03
C3M0032120D是一款功率转换器
产品型号：C3M0032120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V406浏览量
