--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi UTD351G-AE3-R-VB**
- **参数说明:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:30V
- 最大电流:6.5A
- 开启电压(门源电压):Vth=1.2~2.2V
- 开启电阻:RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **应用简介:**
- **SOT23封装:** 小型、适用于紧凑空间的电子应用。
- **N—Channel设计:** 适用于需要N型场效应晶体管的电路。
- **中等电压、高电流:** 适用于中等电压条件下,要求较大电流的功率管理应用。
- **低开启电阻:** 提供较低的导通电阻,有助于提高电路效能。
- **领域和模块应用:**
- **电源管理模块:** 由于其N—Channel设计和较大电流能力,可用于中等电压的电源管理模块。
- **电机驱动:** 适用于需要控制较大电流的电机驱动电路。
- **功率逆变器:** 用于构建中功率的直流到交流的功率逆变器。
- **LED驱动:** 由于其低开启电阻,可用于LED驱动电路,提高效率。
这款VBsemi UTD351G-AE3-R-VB场效应晶体管适用于多种电源管理和功率控制应用,特别是在中等电压条件下对高电流要求的场景。
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