UTM4052G-S08-R-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: UTM4052G-S08-R-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 工作电压范围: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 导通电阻: 28mΩ (正向), 51mΩ (反向) (@VGS=10V, VGS=20V)
- 阈值电压: ±1.9V
封装: SOP8

中文详细参数说明:
UTM4052G-S08-R-VB是一款N+P-Channel沟道功率MOSFET，其工作电压范围为±60V。正向最大电流为6.5A，反向最大电流为-5A。在VGS为10V或20V时，其正向导通电阻为28mΩ，反向导通电阻为51mΩ。阈值电压为±1.9V。该产品采用SOP8封装。

应用简介:
这款产品适用于高压电源管理和功率控制应用。由于其N+P-Channel结构和高电压容忍度，它特别适合用于电源开关、双极性功率放大器和电机控制模块。此外，它还可用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域，以提供可靠的功率开关和调节功能。