微碧半导体VBsemi

动态

• 发布了文章 2025-12-01 16:18

  IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案

  

  在当今的电子设计与制造领域，供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优，同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件，不再是简单的备选方案，而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时，微碧半导体（VBsemi）推出的VBM1201M脱颖而出，它

  MOSFET VBsemi 元器件

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• 发布了文章 2025-12-01 15:12

  VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF

  

  在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天，为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案，已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半导体（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代，而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞

  MOSFET 英飞凌

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• 发布了产品 2025-10-16 15:51

  P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P3004BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:48

  P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P3003BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-P-Channel VDS：-30V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:47

  P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2NK90Z-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：900V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:44

  P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2904BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:42

  P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2804EDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:40

  P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2804BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:36

  P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2703BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：30V

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• 发布了产品 2025-10-16 15:31

  P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

  

  产品型号：P2610BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V

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