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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) BTA410X-800ET 12A高温直驱全塑封双向可控硅技术解析‌

型号: BTA410X-800ET
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

 

BTA410X-800ET是瑞斯特(RST)推出的一款12A等级双向可控硅,采用TO-220F外塑封封装并通过RoHS认证,器件通过外部工程塑料壳体实现2000VRMS的额定绝缘电压,并已取得UL标准认证(File ref: E252906),高压侧与接地散热结构之间无需再作绝缘处理。该型号将允许工作结温上限提升至150℃,较常规可控硅的125℃典型值高出25℃,同时800V的重复断态/反向耐压与Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个触发象限统一10mA的低门极触发电流相配合,使器件在高温环境或散热受限场合仍可满载运行,且能够直接由MCU的I/O端口驱动,兼顾了高温可靠性、安规隔离与驱动电路简化的多重设计目标。

极限参数与导通特性方面,壳温不高于106℃时器件可持续承载12A通态有效值电流,20ms与16.6ms全周期正弦脉冲下的非重复浪涌通态电流分别达120A与132A,10ms脉宽对应的I²t熔断积分为72A²s,为短路与过载工况预留了充足裕量;150℃高温结温下,通态电流临界上升率dI/dt下限为100A/μs,门极开路、断态电压540V时断态电压临界上升率dV/dt不低于150V/μs,换向关断过程的电流临界上升率容限不低于1.8A/ms((dV/dt)c=20V/μs),导通与关断时间典型值分别为3μs与50μs,非重复断态尖峰脉冲耐受电压Vpp达4kV;导通特性上,17A测试电流下的峰值通态压降VTM最大1.4V,150℃时阈值电压与动态电阻分别为0.75V与37mΩ,断态漏电流25℃时仅5μA、150℃时为2mA。热阻方面,结到壳与结到环境的交流热阻分别为2.8℃/W与60℃/W,存储与工作结温范围均覆盖-40℃至150℃。

器件沿用标准TO-220F直插结构,引脚公差满足工业通用装配规范,可平稳对接波峰焊插件产线;塑封绝缘特性使整机可直接将散热片固定于设备外壳或接地框架,显著简化散热装配工序与安规设计流程。浪涌可靠性层面,数据手册按IEC 61000-4-5标准给出了完整测试电路配置——浪涌发生器2Ω源阻抗、负载模型电阻3Ω与电感12μH、门极串联电阻300Ω的组合,可直接作为整机浪涌摸底试验的参数起点;驱动层面,10mA的低触发阈值配合最大1V的触发电压,配合最小0.2V的门极不触发电压门槛与Ⅰ/Ⅲ象限20mA、Ⅱ象限30mA的擎住电流上限,使多数通用MCU的I/O端口具备直接驱动能力且保留了清晰的抗扰设计边界。产品以管式包装出货,单管50只、内盒1000只、外箱5000只,兼顾手动插件与半自动产线供料。

从应用落地角度看,该器件适合用作加热调节类负载的通断执行、感应电机启动回路的ON/OFF切换,以及灯光调光、电机调速等移相触发控制;150℃的结温耐受能力使其在商用厨电、工业加热模块、风机调速器等密闭高环境温设备中仍能长时间满负载稳定运行,2000VRMS的塑封绝缘特性免去了绝缘垫片的设置环节,800V耐压冗余与4kV峰值脉冲电压耐受为电网浪涌、电压波动等恶劣条件提供了充分裕量,MCU直驱特性则让温控器、智能插座、风扇调速器等以单片机为核心的产品省去驱动放大级,在保证可靠性的前提下显著压缩外围元件数量与整机物料成本,是面向高温、高安规要求应用的高性价比交流功率控制选型。

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