--- 产品详情 ---
半导体CMTI测试服务
对象:隔离器件、光耦、驱动器等
参数:共模瞬态抑制比CMTI值
测试样品 CMJQ2-N12D2005SXM 一个器件。 输入电压:10.8 V~13.2 V,输出电压:+20 V/-5 V,输出电 流:±0.09 A,效率:87%,最容性负载:470 μF,纹波典型: 100/50 mV。
测试接线 测试样品 CMJQ2-N12D2005SXM*供电为 9 V锂电池通过升压 模块升压到 12 V 为测试样品供电。高压脉冲正极接测试样品 4 脚 0 V(输出公共端),高压脉冲地接 2 脚 GND(输入负)。
测试结果:根据客户提供被测样品,在脉冲电源最输出 2000 V 的情况下,调整正脉冲 斜坡速率为 50 kV/μs、100 kV/μs、150 kV/μs、200 kV/μs;调整负脉冲斜坡速率为 200 kV/μs。测试结果如下。


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