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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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SMF26CA低轮廓双向TVS二极管技术解析与应用

型号: SMF26CA
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

SMF26CA是瑞斯特(RST)推出的一款采用SOD-123FL低轮廓表面贴装封装的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,专为26V电压域的单条信号线或电源线提供静电放电(ESD)与浪涌防护。其内部采用背对背齐纳二极管拓扑结构,两个引脚之间形成对称的电压钳位路径,可同时抑制正向与负向瞬态过压,适用于极性不确定的交流信号或双向数据线路。该器件基于玻璃钝化芯片结工艺,反向工作电压VRWM为26V,在VRWM条件下的反向漏电流最大值1μA,处于微安级别,对于26V工业与消费电子系统而言,这一漏电流水平在可接受范围内,不会对系统功耗产生显著影响。击穿电压VBR最小值28.9V、最大值31.9V(IT=1mA),确保在26V系统正常工作电压下维持高阻关断状态,仅在过压事件发生时快速导通钳位。

在瞬态防护性能方面,SMF26CA的峰值脉冲功率PPP在10/1000μs标准浪涌波形下达到200W,在8/20μs波形下可达1000W,峰值脉冲电流IPP为4.8A,符合IEC 61000-4-2标准中±30kV(空气放电与接触放电)的ESD防护等级。其钳位电压VC@IPP为42.1V,设计人员需根据被保护器件的绝对最大额定电压,评估钳位电压是否留有足够的安全裕度。该器件的响应时间典型值小于1.0纳秒,从0V至击穿电压最小值的导通速度极快,能够在ESD事件初始阶段即快速动作,限制过压峰值。峰值正向浪涌电流IFSM在8.3ms单半正弦波条件下达到20A(单向型),体现了器件在正向导通方向上的电流耐受能力。结电容随反向击穿电压升高而降低,典型值在数十pF量级,适用于中低速数据接口。

从封装工艺与热管理角度分析,SMF26CA采用SOD-123FL封装,外形尺寸典型值为3.80mm×1.90mm×1.10mm,最大高度仅1.1mm,属于业界低轮廓贴片封装, footprint比SMA封装小50%,可极大节省PCB布局空间,满足高密度集成与超薄设备设计需求。器件顶部标记为两位代码,单向型通过色带标识阴极端,便于产线视觉识别与来料检验。其工作结温范围为-55°C至+150°C,存储温度范围同样为-55°C至+150°C,宽温度范围适应工业与消费电子严苛环境。稳态功耗PD在引线温度TL=75°C时为0.4W,功率降额曲线显示从25°C时的100%额定功率线性降额,至150°C时降至零;脉冲降额曲线则显示峰值脉冲功率随脉冲宽度增加而递减,在0.1μs脉宽下可达约6kW,而在10ms时降至约100W。回流焊工艺支持高温焊接:端子处260°C/10秒,满足无铅组装要求。产品以7英寸卷盘包装,每盘3,000只,支持高速自动贴片生产。建议PCB焊盘布局遵循制造商提供的尺寸规范(A=2.00mm、B=1.20mm、C=1.20mm、D=4.40mm),以确保焊接可靠性与电气性能。

基于上述电气特性与低轮廓封装优势,SMF26CA主要应用于对空间尺寸与ESD防护有双重要求的消费电子、通信设备及工业控制领域。在通信设备中,适用于路由器、交换机、基站及安防监控设备的26V电源线与信号线防护,低轮廓封装可适配紧凑的PCB布局。在工业控制领域,可用于PLC、传感器接口及工业总线的过压保护,应对工业现场的感应雷击与开关瞬态。在汽车电子中,适用于车载娱乐系统、车身控制模块及照明系统的电源线保护。在消费电子中,适用于超薄笔记本电脑、平板电脑、智能电视及便携式仪器的电源输入端口ESD防护。在新能源领域,可用于光伏逆变器、储能系统及充电桩的控制电路保护。设计选型时,建议将TVS二极管尽可能靠近连接器或暴露接口布置,缩短PCB走线以降低寄生电感,并通过低阻抗接地过孔构建高效的泄放路径,从而优化整体防护架构的效能。对于高速信号线路,需评估结电容对信号完整性的影响,必要时在防护效能与信号质量之间进行权衡。

 

 

 

 

 

 


 

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