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东莞市中铭电子

东莞市中铭电子是一家从事半导体芯片和器件研发、技术方案服务及销售一体的技术公司

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国硅集成250V 1.2A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片-G2021

电机驱动芯片
型号： G2021

--- 产品参数 ---

  • 最高工作电压为 +250V
  • dVS/dt耐受能力 ±50 V/ns
  • 负偏压能力达 -9V
  • 栅极驱动电压 6 V 到 20V
  • 宽温度范围 -40°C ~125°C

--- 产品详情 ---

国硅集成250V 1.2A单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片-G2021

 

一、产品概述

G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

 

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3V,5V和 15V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路
 -欠压锁定正向阀值5.5V
 -欠压锁定负向阈值5V
防直通死区逻辑
 -死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
 -开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns
 -延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOIC8封装

 

三、应用范围

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

 

四、器件信息

五、简化示意图

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