LP10R100FN TO220F 内置MOS同步整流控制芯片

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LP10R100FN 为高性能的开关电源 100V 同步整流系列产品，兼容多种开关电源控制系统。
LP10R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。
LP10R100FN 采用专利的整流管开通判定技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误开通。LP10R100FN 具有极快的关断速度，可以大幅度降低在 CCM 工作条件下因关断延迟造成的效率损失。
LP10R100FN集成 VCC 供电技术。启动当系统上电后，通过内置 MOS 的体二极管对输出电容充电，输出电压上升。
LP10R100FN 通过 D脚连接输出电压，当输出电压上升时，经过芯片内部供电电路，给 VCC 充电，当 VCC 的电压充到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始工作，MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通时，电流不再从体二极管流过，而从 MOS 的沟道流过。芯片正常工作时，所需的工作电流仍然会通过 D脚，给 VCC 供电。同步整流管导通DCM 工作时，由于电感的激磁作用，当初级芯片关断时，会产生振荡。为了防止误检测振荡信号，导致同步整流管的异常开启，LP10R100FN 采用专利的整流管开通技术。当初级芯片关断时，次级 LP10R100FN 的漏极 D与 GND 之间的电压迅速下降PXX 通过检测D和GND之间的下降电压阈值和下降速率，能准确的判断同步整流管的开启。开通条件：当满足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小导通时间（TONMIN）当同步开启后，为了避免误关断同步整流。LP10R100FN 设置了最小导通时间TONMIN。同步导通阶段同步导通时，退磁电流减小，VDS 电压上升；当VDS 电压高于-60mV 时，会减小驱动电压，使得MOS 管的导通阻抗增大，维持VDS 的导通电压-60mV；有利于同步关断时，由于驱动电压低，加快关断速度。但为了兼顾效率，VGS 最小电压限定3V。同步整流管关断为了避免同步整流管导通时，因激磁振荡幅度较大，导致误检测关断信号，使同步整流管异常的关断；LPXXR100FN 通过整流管关断电压阈值，能准确地判断同步整流管的关断。关断条件：同步整流一旦开通，在比较器屏蔽时间 TONMIN内不进行关断动作。当开通时间 Ton 超过 TONMIN时间后，即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF，关断同步。同步最小关断时间（TOFFMIN）当同步超过关断阈值（-5mV）关断后，为了避免误开启同步整流。LP10R100FN 设置了最小关断时间 TOFFMIN。死区时间（TDEAD）LP10R100FN 有固定的死区时间，典型值600ns。保护功能LP10R100FN 集成了VCC 欠压保护，过压钳位等保护功能。PCB 设计在设计 LP10R100FN PCB 时，需要遵循以下指南：主功率回路走线要短粗。
LP10R100FN 采用 TO220F-3L 封装。
特点
 开关电源同步整流应用
 兼容 DCM、QR 以及CCM工作模式
 支持最高工作频率200kHz 内置 100V 耐压功率管
 专利的整流管开通技术 集成 VCC 供电
 芯片供电欠压保护
 芯片过压钳位
 外围元器件少
应用
 充电器和适配器
 反激控制器
 其他开关电源控制系