CHA7114-99F 是一款专为 X 波段应用设计的单片两级 GaAs 高功率放大器（HPA），以下是其详细的技术参数和应用场景：
### 技术参数
- **频率范围**：8.5 GHz 至 11.5 GHz。
- **增益**：20 dB（标称值）。
- **饱和输出功率**：39.8 dBm（约 9.55 W）。
- **1 dB 压缩点输出功率**：38-39 dBm（约 6.31-7.94 W）。
- **功率附加效率（PAE）**：36%-42%。
- **偏置条件**：
- 漏极电压（Vd）：8 V。
- 静态电流（Idq）：2 A。
- **芯片尺寸**：4.41 mm × 3.31 mm × 0.07 mm。
- **制造工艺**：采用 0.25 µm GaAs 功率 pHEMT 工艺，包含穿过基板的通孔和空气桥。
- **工作温度范围**：-40°C 至 +80°C。
### 应用场景
- **雷达系统**：可用于高频雷达发射前端。
- **卫星通信**：适用于 X 波段的卫星通信系统。
- **商业通信**：适用于 8.5-11.5 GHz 频段的商业微波通信系统。
### 特点
- **高输出功率**：在 8.5-11.5 GHz 频段内提供高达 9.55 W 的饱和输出功率。
- **高效率**：功率附加效率高达 42%，在高功率放大器中表现出色。
- **高鲁棒性**：在失配负载下具有很高的稳定性。
- **紧凑设计**：以芯片形式提供，便于集成。
- **简化组装**：芯片背面同时为射频和直流接地，焊盘和背面镀金，兼容共晶贴片方法和热压键合工艺。
