### 低相噪介质谐振振荡器（DRO）概述
低相噪介质谐振振荡器（DRO）是一种高性能的微波振荡器，广泛应用于通信、雷达、电子对抗等领域。它利用介质谐振器的高Q值特性，实现低相位噪声和高频率稳定度。
#### **技术规格**
- **频率范围**：1 GHz 至 42 GHz。
- **相位噪声**：
- HMC-C200 在 10 kHz 偏置时相位噪声为 -122 dBc/Hz。
- 某些高端 DRO 在 45 GHz 频率下，偏移频率为 1 kHz 时相位噪声可达 -95 dBc/Hz。
- **输出功率**：13 dBm 至 25 dBm。
- **调谐方式**：电调谐（通过变容管实现）。
- **封装形式**：贴片、同轴。
- **工作温度**：-55°C 至 +125°C。
#### **应用场景**
- **通信系统**：用于毫米波通信、5G 及未来 6G 系统中的本地振荡器（LO）。
- **雷达系统**：在雷达发射机和接收机中提供高稳定度的信号源。
- **电子对抗**：用于电子战系统中的信号源，确保信号的高纯度和低噪声。
- **测试与测量**：在频谱分析仪、信号发生器等设备中提供高精度的参考信号。
#### **产品选型**
以下是一些常见的低相噪 DRO 型号及其规格：
| **型号** | **频率范围** | **输出功率** | **工作电压** |
|:--------|:-------------|:-------------|:-------------|
| RDRO-A-5.0-7.9GHz | 5.0-7.9 GHz | 14 dBm | 6-18 V |
| RDRO-A-8.0-10.7GHz | 8.0-10.7 GHz | 15 dBm | 6-18 V |
| RDRO-B-1.0-43.42GHz | 1.0-43.42 GHz | 12-15 dBm | 5-16 V |
| RDRO-18-40-13d-15V-Family-s12 | 18.0-40.0 GHz | 13 dBm | 15 V |
#### **设计与优化**
- **材料选择**：高Q值的介质材料（如高电阻率硅）是降低相位噪声的关键。
- **温度补偿**：采用温补电路或恒温槽等方法，提高振荡器的温度稳定性。
- **电路设计**：优化微带线和基片的设计，减少损耗，提高谐振器的无载Q值。
