1P603AS低剖面、高性能 3dB 混合耦合器
型号:
1P603AS
1P603AS 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面、高性能 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 2.3 GHz - 2.7 GHz 频段的射频应用。
### 产品特点
- **频率范围**:2.3 GHz - 2.7 GHz。
- **插入损耗**:最大 0.30 dB。
- **隔离度**:最小 20 dB。
- **功率容量**:25 W。
- **工作温度**:-55°C 至 +85°C。
- **封装类型**:4-SMD,无引脚,适合表面贴装。
- **相位平衡**:±3°。
- **幅度平衡**:±0.25 dB。
- **VSWR**:最大 1.20:1。
### 应用领域
- **平衡放大器**:适用于高功率设计。
- **信号分配**:适用于无线通信系统。
- **低噪声放大器**:适用于需要低插入损耗和高隔离度的应用。
- **可变移相器和衰减器**:适用于需要精确信号控制的系统。