1M803S低剖面、微型 3dB 混合耦合器
型号:
1M803S
1M803S 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面、微型 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 4.8 GHz - 6.0 GHz 频段的射频应用。
### 产品特点
- **频率范围**:4.8 GHz - 6.0 GHz。
- **插入损耗**:最大 0.25 dB。
- **隔离度**:最小 20 dB。
- **功率容量**:20 W。
- **工作温度**:-55°C 至 +85°C。
- **封装类型**:4-SMD,无引脚。
- **相位平衡**:±3°。
- **幅度平衡**:±0.3 dB。
- **VSWR**:最大 1.21:1。
### 应用领域
- **平衡放大器**:适用于高功率设计。
- **信号分配**:适用于无线通信系统。
- **射频系统**:适用于需要低插入损耗和高隔离度的应用。