1P503AS低剖面、高性能的 3dB 混合耦合器
型号:
1P503AS
1P503AS 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面、高性能的 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 DCS 和 PCS 应用。
### 技术参数
- **频率范围**:1.7 GHz - 2.0 GHz。
- **耦合系数**:3dB。
- **插入损耗**:0.25 dB。
- **隔离度**:18 dB。
- **回波损耗**:18 dB。
- **功率容量**:30W。
- **相位平衡**:±3 度。
- **幅度平衡**:±0.3 dB 到 ±0.4 dB。
- **工作温度**:-55℃ 到 +85℃。
- **封装尺寸**:5.1 mm x 6.4 mm。
### 特点
- **高隔离度和低损耗**:适合高效率的信号分配。
- **90° 正交输出**:适用于相位敏感的应用。
- **无铅设计**:符合 RoHS 标准。
- **材料兼容性**:使用与常见基材(如 FR4、G-10 等)热膨胀系数兼容的材料。
### 应用领域
- **平衡放大器**:用于射频信号的放大。
- **可变移相器和衰减器**:调节信号的相位和幅度。
- **低噪声放大器(LNA)**:在通信系统中用于放大微弱信号。
- **信号分配**:将一个信号均匀分配到多个输出端。
### 供应商信息
- **品牌**:TTM Technologies(原 Anaren)。