NPA1006 是一款由 MACOM 生产的宽带氮化镓（GaN）功率放大器，专为 20 MHz 至 1000 MHz 的高频应用而设计，具有高功率输出和高效率的特点。
### 技术参数
- **工作频率范围**：20 MHz 至 1000 MHz。
- **输出功率**：在饱和状态下，输出功率可达 12.5 W（41 dBm）。
- **增益**：在 900 MHz 时，小信号增益为 15 dB，饱和增益为 14 dB。
- **漏极效率**：在 900 MHz 时为 65%。
- **工作电压**：28 V。
- **封装类型**：无铅 6 mm × 5 mm 8 引脚 PDFN 塑料封装，符合 RoHS 标准。
- **输入阻抗**：50 Ω 输入匹配，输出未匹配。
### 应用场景
NPA1006 适用于多种通用窄带至宽带应用，包括：
- **测试与测量**。
- **国防通信**。
- **陆地移动无线电**。
- **无线基础设施**。
### 特性
- **GaN-on-Si HEMT D 模式放大器**：适用于线性和饱和应用。
- **100% 射频测试**：确保产品性能的一致性。
- **高效率**：在 900 MHz 时，功率附加效率（PAE）为 62.4%。
- **高可靠性**：在所有相位角下，VSWR = 15:1 时无器件损坏。
### 封装与引脚定义
- **封装尺寸**：6 mm × 5 mm。
- **引脚说明**：包括 Vo（漏极电压）、RFIN（射频输入）、RFOUT/VD（射频输出/漏极电压）等，未连接引脚可悬空或接地。
### 偏置序列
- **开启设备**：
1. 将 Vos 设置为夹断电压（VP），通常为 -5 V。
2. 将 Vos 设置为额定电压（28 V）。
3. 增加 Vos 直至达到 Ids 电流。
4. 应用所需的射频功率。
- **关闭设备**：
1. 关闭射频功率。
2. 将 Vos 降低至 VP。
3. 将 Vos 降低至 0 V。
4. 关闭 Vos。
### 注意事项
- **静电敏感性**：GaN 电路对静电放电（ESD）敏感，应使用适当的 ESD 控制技术处理 HBM Class 1B 设备。
