--- 产品参数 ---
- 供电电压 1 V ~ 6 V
- 电阻(kΩ) 5 ~ 10
- 敏感方向 X轴
- 封装形式 DFN4L(1.32×0.66×0.3)
--- 产品详情 ---

2024 年 2 月 18 日消息,专注于隧道磁阻 (TMR) 技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 推出了 TMR4101 高精度磁栅传感器芯片,适用于摄像头自动调焦和变焦、微米级位移测量、直线和角度位置测量、磁栅尺和磁编码器等消费电子和工业应用领域。

多维科技 TMR4101 磁栅传感器芯片与磁极距为 0.4mm 的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时,其内置的两个推挽式 TMR 半桥结构分别输出相位差为 90° 的正弦和余弦信号,信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度 0.8mm 相对应。基于 TMR 技术优异的高灵敏度和低噪声特性,TMR4101 的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量,在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。多维科技先进的 8 英寸 TMR 工艺制程,在优化制造成本、提升芯片可靠性的同时,实现了紧凑的超薄型 DFN4L (1.32 mm × 0.66 mm × 0.3 mm) 封装,特别适用于以智能手机和平板电脑摄像头模组为代表的空间尺寸受限、同时需满足高精度定位要求的消费类应用场景。


多维科技提供与 TMR4101 配套使用的磁极距为 0.4mm 的多对极磁栅,磁栅的长度和宽度可根据应用场合的需求选配。针对不同的应用场景,多维科技可为客户定制不同磁极距的磁栅和与之对应的 TMR 传感器芯片。
多维科技 TMR4101 磁栅传感器芯片与先行发布的 TMR3016 或 TMR3017 角度传感器配合使用,为智能手机摄像头自动调焦和变焦应用提供了升级的产品方案。多维科技同时为摄像头光学防抖和智能可穿戴设备规划了基于 TMR 技术的全新产品序列。这些新产品将于 2024 年内全面推向消费电子市场,以 TMR 技术的低功耗、高频响、高信噪比特性助力行业合作伙伴实现技术路线的升级换代。
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