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UF3C065030T3S 栅极驱动 SiC 器件2023-05-11 18:30
产品型号：UF3C065030T3S VDS 最大值(V)：650 RDS(on)：27 内径最大值(A) ：85 一代：第 3 代 Tj 最大值(°C)：175 -
UF3C065030K4S 栅极驱动 SiC 器件2023-05-11 18:22
产品型号：UF3C065030K4S VDS 最大值(V)：650 RDS(on) ：27 内径最大值(A)：85 一代：第 3 代 Tj 最大值(°C)：175 -
UF3C065030K3S 栅极驱动 SiC 器件2023-05-11 18:13
产品型号：UF3C065030K3S VDS 最大值(V)：650 RDS(on) ：27 内径最大值(A)：85 一代：第 3 代 Tj 最大值(°C)：175 -
UF3C065030B3 栅极驱动 SiC 器件2023-05-11 18:01
产品型号：UF3C065030B3 VDS 最大值(V)：650 RDS(on)：27 内径最大值(A)：65 一代：第 3 代 Tj 最大值(°C)：175 -
TQL9066 双路低噪声放大器2023-05-11 11:18
产品型号：TQL9066 最小频率(GHz) ：0.05 最大频率(GHz) ：1.5 增益（分贝）：18.4 噪声系数（分贝）：0.62 OP1dB (dBm：21.4 -
TGF3021-SM 分立式 GaN 射频晶体管2023-05-11 10:54
产品型号：TGF3021-SM 最低频率(MHz) ：30 最大频率(MHz)：4,000 增益（分贝）：19 饱和度(dBm)：45 PAE （%）：73 -
TGF3020-SM 分立式GaN 输入匹配晶体管2023-05-11 10:47
产品型号：TGF3020-SM 最低频率(MHz) ：4,000 最大频率(MHz) ：6,000 增益（分贝）：12.7 饱和度(dBm)：38.3 PAE （%）：59.6 @ 5GHz -
TGF3015-SM 分立式 GaN 输入匹配晶体管2023-05-11 10:39
产品型号：TGF3015-SM 最低频率(MHz) ：30 最大频率(MHz) ：3,000 增益（分贝）：17 饱和度(dBm) ：40.4 PAE （%）：63 -
TGF2979-SM 分立式 GaN 射频晶体管2023-05-11 10:20
产品型号：TGF2979-SM 最低频率(MHz) ：直流电 最大频率(MHz) ：12,000 增益（分贝）：11 饱和度(dBm)：43.4 PAE （%）：45 -
TGF2978-SM 分立式 GaN 射频晶体管2023-05-11 10:13
产品型号：TGF2978-SM 最低频率(MHz) ：直流电 最大频率(MHz)：12,000 增益（分贝）：11 饱和度(dBm)：42.8 PAE （%）：46