--- 产品参数 ---
- 内核 Arm® Cortex®-M33
- 闪存 512kB – 1MB
- SRAM 256kB
- 数据闪存 8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品群介绍
瑞萨电子 RA6E1 32 位微控制器 (MCU) 产品群使用支持 TrustZone 的高性能 Arm® Cortex®-M33 内核。RA6E1 采用高效的 40nm 工艺,是 RA 产品家族微控制器的入门级产品,通过开放且灵活的生态系统(灵活配置软件包 (FSP))提供支持。RA6E1 适用于要求简化功能和集成连接性(包括以太网)的入门级物联网应用的需求,并提供790.75 CoreMark(3.95CoreMark /Mhz)的空前性能。RA6E1产品群非常适合要求高性能和低功耗的计算密集型物联网应用,以及以优化产品成本、体现产品价值为目标的功能集成和连接应用的需求。

特性
支持TrustZone的200 MHz主频Arm Cortex-M33内核
512kB - 1MB 闪存和256kB SRAM
8kB数据闪存,提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
1kB休眠用SRAM
64引脚至144引脚的LQFP封装
支持以太网MAC
全速 USB 2.0,支持主机模式和设备模式
CAN 2.0
四线 SPI
串行通信接口(UART、简单SPI、简单 I2C)
独立 SPI / I2C多主接口
SDHI 和 MMC
应用
有线以太网应用
需要增强安全功能的产品(火灾探测、防盗检测、面板控制)
表计类产品(电力,自动抄表)
工业应用(机器人、开门器、缝纫机、自动售货机、UPS)
RA6E1产品群MCU的六款不同产品涵盖从48引脚到100引脚封装,集成从512KB到1MB的多种闪存规格,并包含256KB SRAM。RA6E1产品具备优异的功耗性能,以及多种外设与连接选项(包括以太网),打造性能和功能的独特组合。
型号&封装
RA6E1产品群型号及封装
1024KB Code Flash , 8KB Data Flash , 256KB SRAM 系列
产品型号 | 封装 |
R7FA6E10F2CFP | LQFP 100 |
R7FA6E10F2CFM | LQFP 64 |
R7FA6E10F2CNE | QFN 48 |
512KB Code Flash , 8KB Data Flash , 256KB SRAM 系列
产品型号 | 封装 |
R7FA6E10D2CFP | LQFP 100 |
R7FA6E10D2CFM | LQFP 64 |
R7FA6E10D2CNE | QFN 48 |
产品模型
R7FA6E10F2CFP 模型

解决方案示例
超小型指纹传感器(工业)
瑞萨电子的超小型指纹传感器解决方案是采用了适合 USB 适配器识别模块的紧凑型设计。在具有 USB 2.0 数据带宽/功率范围的高性价比配置中使用现代化的 USB-C,使我们能够将指纹传感器缩小到 12mm x 12mm(加上 USB-C 接口本身的 8mm x 8mm)。
系统优势:
除了指纹传感器本身,瑞萨电子的产品组合涵盖了其中所有的电子器件。
支持 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 MCU,安全的加密引擎和全套软件包,可轻松实施安全的应用。
可选扩展允许在工业自动化主机中使用隔离RS-485 总线连接进行身份验证
目标应用:
用于安全/工业自动化指纹识别的 USB 适配器

相关产品

为你推荐
-
RA4M1—适用于 HMI 的 32 位微控制器,带有 LCD 控制器和电容式触控2022-03-23 15:55
产品型号:RA4M1 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:256kB SRAM:32kB 数据闪存:8kB 的与EEPROM 存储数据功能类似 -
RA4M3—用于工业和物联网应用、具有高集成度和丰富连接性的高性能微控处理器2022-03-23 15:45
产品型号:RA4M3 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB - 1MB SRAM:64kB 支持奇偶校验 以及 64kB ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6T1—用于电机控制和基于 AI 的端点预测性维护2022-03-23 15:30
产品型号:RA6T1 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:256kB – 512kB SRAM:64kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6M2—带有 120 MHz 中型以太网存储器集成的 32 位微控制器2022-03-23 15:22
产品型号:RA6M2 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:512kB - 1MB SRAM:384kB 数据闪存:32kB 与 EEPROM 存储数据功能类似 -
RA6M3 — 带有 USB 高速、以太网和 TFT 控制器的 120 MHz 32 位微控制器2022-03-23 15:14
产品型号:RA6M3 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:1MB - 2MB SRAM:640kB 数据闪存:64kB 与 EEPROM 存储数据功能类似 -
RA6M5产品群让Arm Cortex M33内核RA6系列主流MCU产品线趋于完整2022-03-23 15:02
产品型号:RA6M5 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:1MB - 2MB SRAM:448KB 支持奇偶校验 和 64KB ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
瑞萨电子推出RA6T2 MCU,适用于变频设备、楼宇自动化和工业驱动应用中的下一代电机控制2022-03-23 14:52
产品型号:RA6T2 内核:Arm®Cortex®-M33 闪存:256KB -512KB SRAM: 64KB 具有 ECC 数据闪存:16KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6E1 -- 瑞萨超高性能入门级MCU2022-03-23 14:39
产品型号:RA6E1 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB – 1MB SRAM:256kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
瑞萨RA6M4 MCU产品群,为物联网应用提供卓越性能和先进安全性2022-03-23 14:30
产品型号:RA6M4 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB - 1MB SRAM:192kB支持奇偶校验以及64kb ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA4入门级产品群RA4E1,通过平衡的低功耗性能和功能集成提供卓越价值2022-03-23 14:19
产品型号:RA4E1 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:256kB - 512kB SRAM:128kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
-
瑞萨RA8系列教程 | 基于e2s在RA8上跑RTOS实现的方法2025-06-11 17:22
-
新品发布丨瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器,支持USB-C Rev. 2.4标准2025-06-11 17:22
-
瑞萨RA8系列教程 | 瑞萨 RA8 开发环境搭建,并点亮一个LED2025-06-04 17:32
-
新品发布丨瑞萨电子推出RZ/A3M,面向经济型高性能HMI解决方案扩展RZ/A MPU产品线2025-05-20 16:33
-
瑞萨RA8系列教程 | RA8基于e2s实现RTC实时时钟功能2025-05-13 17:07
-
瑞萨RZ/V2H平台支持部署离线版DeepSeek -R1大语言模型2025-05-13 17:07
-
瑞萨RA8系列教程 | 基于 RASC 生成 Keil 工程2025-05-01 10:00
-
新品 | RA0系列MCU喜添新成员RA0E2,0.25uA超低功耗待机,支持5v、125c2025-05-01 08:15
-
五一留言有礼 | RA生态工作室新增免费样品申请渠道啦!2025-05-01 08:15
-
2025年瑞萨电子工业以太网技术日(回顾)2025-04-22 17:41