--- 产品参数 ---
- 典型功率附加效率 >48%
- 小信号增益 29 dB
- 典型 PSAT 110 W工作电压高达 40 V
- 击穿电压 高击穿电压
- 操作环境 高温操作
--- 产品详情 ---
Cree 的 CMPA5259080S 是氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性,包括更高的击穿率电压,更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与此相比,GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽到 Si 和 GaAs 晶体管。 该 MMIC 包含一个两级无功匹配放大器设计方法可实现高功率和功率附加效率可在 7 mm x 7 mm 表面贴装(QFN 封装)中实现。
特征
>48% 的典型功率附加效率
29 dB 小信号增益
110 W 典型 PSAT 工作电压高达 40 V
高击穿电压
高温操作
应用
民用和军用脉冲
雷达放大器
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