深圳市浮思特科技有限公司文章

• ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服务器和工业电源高效能2025-07-03 10:23

  

  近期，ROHM半导体公司发布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。这款器件专为48V电源架构中的热插拔电路设计，广泛应用于AI服务器及工业电源，尤其是在需要电池保护的场合。随着人工智能技术的迅猛发展，数据中心面临着前所未有的计算需求，促使服务器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技术和高性能GPU的普及，进一步加大了对提高电源效率的需求。为

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• 电子设备NMB散热风扇核心技术：从基础选型到耐环境设计2025-07-03 10:20

  

  散热风扇是电子设备内部用于关键热管理的核心组件，其作用远超简单的“吹风”，涵盖散热、通风及空气循环等多种功能。理解其技术特性对于设备设计与可靠性至关重要。散热风扇的基本分类散热风扇主要依据输入电源和气流动力学原理分类：按电源：交流风扇(ACFan)：直接使用交流电网供电。直流风扇(DCFan)：使用直流电源，通常电压较低(如5V,12V,24V,48V)，功

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• 东京大学开发氧化铟(InGaOx)新型晶体管，延续摩尔定律提供新思路2025-07-02 09:52

  

  据报道，东京大学的研究团队近日成功开发出一种基于掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新在微电子技术领域引起了广泛关注，标志着微电子器件性能提升的重要突破。该研究团队的环绕式金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)展现出卓越的性能，迁移率高达44.5cm²/Vs。在严苛的应力测试中，这款晶体管连续稳定工作近三小时，显示出其在高压和高温等极端条件

  摩尔定律 晶体管 740浏览量

• 浮思特 | IGBT与MOSFET哪种才是最有效的电力开关解决方案2025-07-02 09:47

  

  电子设备正逐渐融入越来越多的产品中。无论产品是便携式还是固定式，大多数电子设备都需要高效地将电能(或开关)从一种形式转换为另一种形式。为此，采用了电力电子技术，供应商们开发了丰富的开关器件供各种应用选择。如今电力电子的趋势是使用半导体开关器件来整流、切换和控制电压和电流。随着二极管、晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(I

  IGBT MOSFET 电力开关 2481浏览量

• 大基金三期聚焦微影技术与芯片设计工具，助力中国半导体产业发展2025-07-01 10:15

  

  近日，彭博社报道，国家集成电路产业投资基金三期(以下简称“大基金三期”)正计划将投资重点放在微影技术、芯片设计工具等关键领域。这一举措旨在减少中国在高端半导体技术方面对国际巨头的依赖，尤其是在荷兰ASML、美国益华电脑(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主导的领域。大基金三期的成立是中国政府推动半导体产业发展的重要举措之一。自2014年以来

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• 浮思特 | 当前电流传感器的主要类型有哪些?2025-07-01 10:13

  

  电流测量涉及多种传感器技术，从传统的电流互感器到最新的DC-CT®磁通技术，每种方案都能应对不同的测量挑战。本文将对比各类技术的优缺点、成本及应用场景。主要电流传感器类型·电流互感器·DC-CT®Platiše磁通技术·磁通门/零磁通技术·开环霍尔效应·闭环霍尔效应·光纤电流传感器·分流电阻·罗氏线圈电流互感器(CurrentTransformers)电流变

  测量 电流互感器 电流传感器 563浏览量

• 瑞萨电子推迟营收目标至2035年 面对竞争与技术挑战2025-06-30 11:02

  

  瑞萨电子(RenesasElectronics)近期在一场媒体发布会上宣布，将其原定于2030年实现的营收目标推迟至2035年。这一决定反映了嵌入式半导体行业的剧烈变化以及公司在技术方向上的重要调整。瑞萨社长柴田英利在发布会上表示，自2022年设定营收目标以来，行业内外部环境发生了显著变化。尤其是在与中国竞争对手的竞争中，瑞萨面临着前所未有的压力。他强调，尽

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• 浮思特 | MCU 和 PSoC 如何使家电更加智能2025-06-30 11:01

  

  在洗衣机、空调、微波炉、吸尘器和冰箱等许多家用电器中，微控制器(MCU)被用于电机控制、模拟传感器测量、前面板按键控制以及LED/LCD显示。家电行业使用基于8位、16位和32位微控制器的电路来实现电机控制以及TRIAC(三端双向可控硅)/LED/LCD驱动应用。MCU控制并管理着电器的所有功能和特性。当用户按下启动按钮时，输入信号会从前端面板键盘传输到微控

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• 浮思特 | 一文读懂何为超结MOSFET (Super Junction MOSFET)‌2025-06-25 10:26

  

  在功率半导体领域，突破硅材料的物理极限一直是工程师们的终极挑战。随着电力电子设备向高压、高效方向快速发展，传统MOSFET结构已逐渐触及性能天花板。本文将深入解析超结MOSFET技术如何通过创新的纵向电荷补偿机制，成功打破存在数十年的"硅极限"定律。硅极限(SiliconLimit)‌在功率MOSFET领域，存在着一个被称为“硅极限”(理论极限)的瓶颈。其核

  MOSFET 功率半导体 超结器件 1458浏览量

• 英飞凌科技加大AI人工智能与机器人领域的市场投入2025-06-24 09:57

  

  近日，英飞凌科技全球高级副总裁潘大伟在一次行业会议上透露，公司对人工智能(AI)和机器人市场的发展前景充满信心，并计划在这两个领域加大投入。这一战略决策反映了英飞凌科技对未来技术趋势的敏锐洞察，以及对行业需求的积极响应。英飞凌科技作为全球领先的半导体制造商，将围绕硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)三种关键材料产品提供全方位的解决方案，以满足不断增长的市场

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