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深圳市骊微电子科技

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芯朋微、士兰微、启臣微代理,免费试样,提供技术支持!

深圳市骊微电子科技文章

  • IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理2022-06-27 14:57

    MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域,长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额,受益于庞大的终端消费需求,国内终端厂商推进进口替代,骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(
    MOS 8浏览量
  • viper12a芯片代换料AP8012H电源控制芯片,降低成本!2022-06-21 17:14

    VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装,是ST,VIPer产品系列,应用功率5W-10W,典型应用于电池充电器的壁挂式适配器,以及电视和监视的待机电源领域,随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善,国产替代势在必行,AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片,实现进口替代!viper12a替代芯片ap8012h特征■
  • 杭州士兰微mos有哪些型号及mos代理商2022-06-01 15:43

    士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管,实现了沟槽栅低压MOS,沟槽屏蔽栅SGT-MOS,超级结MOS和IGBT等多个产品的量产,广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等,缺货涨价潮助力国产替代加速,士兰微不断推进产品开发和升级,不仅在产能端实现了扩增,而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级,实现进口替代。高压超结MOS
    MOS 72浏览量
  • ncp1252a芯片代替料启达启臣微CR1252A2022-05-20 11:19

    受多重因素影响,芯片的供应紧张仍未缓解,在缺“芯”困局之下,国产替代的呼声愈发高涨,许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局,骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封装■内置软启动■内置斜波补偿■峰值电流限制■内置输入欠压自动恢复■内置LEB前沿消隐功能
    芯片 102浏览量
  • NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN82132022-05-17 11:16

    自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器,市场上便掀起了GaN“快充风”,目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC,基本上都依赖进口,骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213,适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,
    驱动 46浏览量
  • NCP1342替代料PN8213 65W氮化镓pd充电器方案2022-05-07 11:36

    氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇,在氮化镓快充市场迅速增长之际,65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点,从而率先成为了各大品牌的必争之地,ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片,适用于65w氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■Valle
    充电器 62浏览量
  • 30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL52022-05-04 16:41

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输
    MOS管 57浏览量
  • 降压eup3270芯片4A输出QC3.0快充方案2022-04-28 15:07

    EUP3270是一款能够驱动4A连续负载并带有优良线性和负载调整率的的同步降压型变换器,故障保护包括电流限制,短路保护和热关断。内部软启动系统能够在芯片启动过程实现小的浪涌电流和输出过冲。降压eup3270芯片特点■4.5V到30V宽输入电压范围■80KHz到800KHz的的开关频率可调■CC/CV的模式控制■达到4A的输出电流■+/-1.5%电压基准精度■
    芯片 40浏览量
  • 60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-26 17:32

    SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,14A、60V的电流、电压,RDS(on)=8.0mΩ(typ),最高栅源电压@VGS=±20V,典型应用于10W-44W快充。60vmos管SVGP069R5NSA特点■开关速度快■提升了dv/dt能力■低栅极电荷■低反向传输电容■14A,60V,RDs(o
    MOS管 18浏览量
  • 60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-21 17:38

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管是市面上最常见之一,在实际使用的过程中,MOS管既可用于放大电流,又可以作为电子开关。SVGP069R5NSA贴片mos60v特点■14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输电容■开关速度快■提升了dv/dt能力SV
    MOS管 44浏览量