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深圳争妍微电子有限公司

深圳争妍微电子，由专业团队组建的半导体设计科技型企业，专利雄厚，主营功率器件与模拟IC，服务国内外市场，志在行业头部。

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动态

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企业信息

认证信息： 深圳争妍微电子官方账

联系人：张生

联系方式：
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地址：广东省深圳市龙岗区彩云一路裕合园区2栋（原新中泰工业园）

公司介绍：深圳争妍微电子有限公司是由深耕半导体行业数十年的国内半导体专家团队、销售精英团队和德国留学归国专家共同发起组建成立的先进半导体设计公司。公司是科技型中小企业，客户遍布中国华南、华东、东南亚国家和部分欧美国家。公司创始人目前已拥有80多项半导体器件专利，其中共有40项发明专利和实用新型专利被国家知识产权局授权，其余专利正在实审中。 公司名下有32项专利，其中90%以上为发明专利。在国内外一级学术期刊上发布半导体论文5篇，在国家级半导体年会上发表论文2篇，并受邀在国家级半导体学术年会上做学术报告。公司是中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会《低空飞行器电机控制器用 SiC 功率器件技术规范》团体标准制定单位。公司在2025深圳湾芯展上获得了“技术创新奖.IC设计创新企业”的奖项。公司被新华社《品牌观察》栏目评选为栏目优秀合作品牌。公司成功入选中国品牌创新发展工程，入选中国企业品牌库。公司是中央军委军队采购电子元件供应商和中央政府采购电子元件供应商。公司被邀请参加2025中国制造品牌发展峰会及第三届中国制造·消费者信赖品牌盛典年会。公司也是央视展播品牌。公司是专业化工业和汽车电子功率器件和IC垂直分工厂商，芯片主要由公司提出设计方案后交由芯片代工企业进行生产，然后委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成。公司未来也会进行封装产线和晶圆生产线的建设，部分芯片自主制造和封装后对外销售。公司主要产品分为以下两类：1、工业和汽车电子功率器件产品。如低压Trench MOS、中压SGT  MOS、高压超结MOS、各类二极管特别是快恢复二极管FRD、IGBT、SiC MOS/JBS 、GaN HEMT。2、模拟IC。特别是功率驱动IC、功率IC（功率驱动IC和功率MOS或IGBT集成为单芯片）和IPM模块（功率驱动IC和功率MOS或IGBT合封为功率模块）。    公司的目标是：努力成为功率和功率集成领域国内头部企业。公司将广纳四海人才，在微电子相关领域攻坚克难，为国家和世界半导体事业的振兴和发展贡献自己的力量。

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