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诺芯盛科技

诺芯盛科技提供无线充发射+接收方案设计、芯片、PCBA电路板,超级法拉电容,国产MOS管

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动态

  • 发布了文章 2025-07-16 11:03

    超级电容器能量密度测试方法

    本文介绍了超级电容器能量密度测试方法,包括原理、步骤及影响因素。
    816浏览量
  • 发布了文章 2025-07-15 16:49

    1法拉电容等于多少毫安

    电容与电池在储能原理上有本质差异,1法拉电容等于360万毫安时,实际应用中必须考虑工作电压窗口的限制。电容的有效能量输出依赖电压稳定性,而电池的稳定电压特性与自放电率、温度系数等参数有关。在设计电路时,需要综合考量这些参数。
  • 发布了文章 2025-07-15 16:09

    无线充电器的线圈是什么线

    无线充电器的核心部件是线圈,其材质、结构和技术特性直接影响充电效率与性能。铜和铝线圈是主要选择,铜线圈性能高,铝线圈成本低,多股绞线或FPC柔性电路板适用于小型电子设备,铁氧体/铁粉芯加持可提升电感量。
  • 发布了文章 2025-07-14 12:09

    无线充电发射线圈参数设置

    无线充电发射线圈参数设置需考虑圆形与方形线圈选择,多层线圈设计增大磁场覆盖范围,尺寸与功率匹配需综合考虑。电阻降低可减少发热,电感需精确匹配。谐振频率需与接收端一致,不同应用场景需有差异化需求。
  • 发布了文章 2025-07-14 10:41

    5.5v 法拉电容 需要均衡吗?

    本文探讨了5.5V法拉电容的电压均衡问题,并分析了失衡可能导致的性能衰减、热失控和安全性问题。电容组的均衡技术为解决这些问题提供了解决方案,可有效提高系统的可靠性。此外,文章还介绍了在不同应用场合下,如何选择适合的电容均衡方案。
  • 发布了文章 2025-07-14 10:31

    法拉电容购买选择什么型号

    法拉电容选型需考虑应用场景与关键技术参数,容量与电压匹配、ESR与温度范围等因素。容量与电压选择需科学取舍,容量大但耐压或耐压高但容量小;ESR与温度范围需关注,标称值-40℃至105℃,实际环境温度高电容寿命减半。
    744浏览量
  • 发布了文章 2025-07-14 10:13

    超级电容器与锂离子电池的区别在哪里?

    本文主要讨论了超级电容器和锂离子电池在储能方面的差异。超级电容器的体积小、容量大,但能量密度低;而锂离子电池体积大、容量小,但能量密度高。超级电容器的功率密度高,反应速度快,寿命长,但需要适应性更强的环境;而锂离子电池在低温下性能下降...
  • 发布了文章 2025-07-14 09:42

    无线充芯片SOP16:小身材,大能量

    本文主要介绍了无线充芯片SOP16的封装设计、高效能低功耗、广泛兼容性和技术创新特点。SOP16封装技术的小巧体积和高效能低功耗特性,使其成为市场上的热门选择。此外,无线充芯片SOP16的广泛兼容性使其能够轻松融入各种应用场景,推动无...
  • 发布了文章 2025-07-11 17:14

    手机无线充电发热吗?

    本文探讨了无线充电是否会发热的问题,通过实测数据分析,无线充电会在20%-30%的转化率中损耗能量。发热的幅度与场景有关,且存在技术瓶颈和使用习惯因素。发热的影响包括电池寿命的辩证关系和加速电池老化。
  • 发布了文章 2025-07-11 16:59

    无线充电发热问题

    本文探讨了无线充电发热的原因、影响及应对策略。无线充电发热主要由电磁感应或磁共振等原理导致,表现为设备温度升高。过热对设备有潜在影响,如加速电池老化、引发安全隐患等。解决之道包括优化充电环境、合理控制充电功率。

企业信息

认证信息: 诺芯盛科技

联系人:林龙

联系方式:
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地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007

公司介绍:诺芯盛科技是一家专业致力于消费类电子,无线充电产品IC芯片研发及电路模块应用设计的技术型方案公司。公司成立于2022年,通过多年以来的发展,公司已在无线充电领域-涵括发射端+接收端应用,公司拥有国内尖端产品线芯片资源,汇集和培养了一批经验丰富,设计能力超强的工程技术人员,公司先后成立了DC电源事业部,功率器件事业部,可提供无线充电(发射+接收)方案设计和PCBA模组及DC-DC升降压芯片、电池充电管理IC、MOS管、IGBT、MOS驱动芯片、超级/法拉电容器、LED去纹波/频闪ic。  【公司产品渠道】:INJOINIC英集芯(无线充TX、充电IC),NuVolta伏达(无线充RX),COPO酷珀微(无线充RX),Vergiga威兆(MOS/IGBT),WINSOK微硕(MOS),FM富满(充电管理ic),金誉/迪浦(二三极管、充电管理ic),Si-Power硅动力(DC-DC降压芯片),Zk中科(MOS/IGBT驱动芯片 N531、N532),MAXIC美芯晟(去频闪ic),JGNE山东精工(超级/法拉电容)。

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