深圳市浮思特科技有限公司

动态

• 发布了文章 2024-08-23 11:09

  特斯拉上海超级工厂建设加速，Megapack电池产能蓄势待发

  

  近日，特斯拉公司全球副总裁陶琳(Grace)通过其社交媒体平台透露，位于中国上海的特斯拉新超级工厂建设正以前所未有的速度推进，当前工程进度已顺利达到45%，特斯拉的目标是将生产时间表定在2025年第一季度，标志着这一瞩目的项目正稳步迈向新的里程碑。回溯至去年，特斯拉与上海临港新区成功达成了具有深远意义的合作协议，并在年底举行了盛大的正式签约仪式，为特斯拉在中

  储能 特斯拉 电池

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• 发布了文章 2024-08-23 11:02

  GaN FET(场效应晶体管)中集成电流传感的优势

  

  本文重点介绍了一项新发展：将电流传感(CS)直接集成到采用PDFN封装的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)中，且无需外部供电。我们将深入探讨这一解决方案的优势、性能以及通过60W适配器电子验证板获得的实验结果。集成电流传感器与外部电流传感电阻的比较在电力电子应用中，例如反激式变换器或功率因数校正(PFC)，通常需要检测开关电流，以实现峰值/谷值电流模式控

  GaN 传感器 场效应晶体管 电流传感

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• 发布了文章 2024-08-20 11:34

  新能源汽车充电技术的未来：高功率车载充电机(OBC)的崛起

  

  在全球汽车行业经历电动化转型的浪潮中，新能源汽车的充电效率和便捷性成为了消费者关注的焦点。当前，大多数新能源汽车的车载充电机(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之间，面对日益增大的电池容量，这一功率水平显得捉襟见肘。为了满足未来电动车的充电需求，行业内已经开始着手开发功率更高的OBC方案，目标功率范围在11kW至22kW之间，这将为电动车的快速充电提供更强

  OBC 充电技术 新能源汽车 车载充电机

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• 发布了文章 2024-08-20 11:05

  SiC FET在固态断路器应用中的冲击电流处理能力

  

  固态断路器(SSCB)相比于传统的电机械断路器具有多种优势。基于宽带隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的SSCB可以在许多应用中扩大其竞争优势。SSCB的优势传统的电机械断路器依靠电磁作用进行短路检测和中断，同时利用双金属作用实现过载电流保护。电磁效应依赖于线圈和接点，涉及多个运动部件。故障限制响应时间通常在几毫秒左右，具体取决于额定值和使

  SiC 固态 断路器 短路检测器

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• 发布了文章 2024-08-19 11:33

  台积电斥资171.4亿新台币收购Innolux工厂，加速先进封装产能扩张

  

  全球领先的半导体制造巨头台积电，在持续扩大其生产版图方面迈出了重要一步。据LibertyTimesNet于8月15日的最新报道，台积电正式宣布已完成对先进封装及面板制造商Innolux位于台湾南部科学园区的一座重要工厂的收购，交易金额定为171.4亿新台币，远低于市场普遍预期的200亿新台币水平，展现了其高效的资本运作能力。此次收购的工厂占地面积超过96,0

  TSMC 半导体 台积电

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• 发布了文章 2024-08-19 11:31

  提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

  

  近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET的设计成功主要发生在低功率到20kW范围内的电力转换器中，这些通常是全新设计，这一趋势主要是由于提高光伏逆变器和其他工业电源应用的效率的需求。图1设计师们现在正在使用市面上可用的高功率全SiC电力模块和驱动器

  IGBT IGBT模块 SiC 电力转换器

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• 发布了文章 2024-08-16 11:18

  SemiQ将S7封装添加至其QSiC™高性能功率模块系列

  

  SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模块中新增了一种S7封装，该系列模块包括1200V的半桥MOSFET和肖特基二极管模块。这些组件为电力工程师提供了更大的设计灵活性，能够为新设计提供紧凑、高效和高性能的选择。同时，它们也便于无缝替换那些需要提升效率的旧系统。此次公告包括四个新电子模块的发布：一个529AMOSFET模块(GCMX003A120S7B1

  SemiQ SiC 功率模块

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• 发布了文章 2024-08-16 11:13

  反向导电IGBT的控制方法

  

  当IGBT和二极管的功能结合在单个硅片上时，就产生了反向导电IGBT(RC-IGBT)。这使得标准的IGBT/二极管模块可以在单个硅芯片上构建，从而增强了电流承载能力，而无需增加模块的占地面积。此外，根据器件技术的不同，二极管的电气性能可以受到IGBT栅极控制状态的影响。然而，为了管理复合RC-IGBT中的损耗，需要考虑特殊的控制方法。器件介绍反向导电IGB

  IGBT 二极管 电气性能

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• 发布了文章 2024-08-15 10:39

  GaN技术引领功率电子产业新风潮，预估2030年市场规模将突破43亿美元

  

  随着全球对高效能电力解决方案的需求日益增加，氮化镓(GaN)技术正在成为功率电子产业的一大亮点。近期，英飞凌和德州仪器等行业巨头对GaN技术的投入不断加大，标志着功率GaN产业的发展即将迎来新一轮的快速增长。根据TrendForce集邦咨询发布的《2024全球GaNPowerDevice市场分析报告》，2023年全球GaN功率元件市场规模约为2.71亿美元，

  GaN 功率元件 功率电子 氮化镓

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• 发布了文章 2024-08-15 10:38

  利用人工智能改变 PCB 设计

  

  人工智能在PCB设计中展现出不可否认的潜力，但是工程师们自然对其影响有所顾虑。关于工作保障和责任的等问题常常浮现：人工智能会夺走我的工作吗?如果人工智能出错，我会被指责吗?然而，人工智能助手不仅不是威胁，反而可以成为可靠的合作伙伴，它能够解释自己的决策并提供有价值的见解。它的选择理由能力促进了一个协作的环境，使经验较少的工程师能够在不感到威胁的情况下学习和成

  PCB设计 人工智能 数据

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