深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-03-24 11:38

  Vicor在台湾推广48V电源模块：模块化设计的市场竞争优势

  

  近日，美系功率半导体模块厂商Vicor在中国台湾举办了一场媒体活动，重点宣传其最新的48V电源模块平台。此次活动吸引了众多媒体及行业专家的关注，凸显了Vicor在电源管理领域的创新实力和市场策略。Vicor在活动中强调，其模块化设计在市场上的竞争优势与众不同。与许多传统的美系电源管理IC厂商和IDM(集成设备制造商)不同，Vicor并不将所有功能整合在一块电

  Vicor 电源模块

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• 发布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 创新互补模型：提升功率电子转换器设计与仿真的新方法

  

  功率电子转换器可以视为由分段线性元件(传统元件如电阻、电感和电容是特例)与电压源、电流源、二极管和电子开关(如晶闸管、晶体管、MOSFET等)组成。在此背景下，我们将电子设备(ED)定义为任何具有分段线性电流-电压特性的电气或电子元件，尽管这可能是一个不太精确的术语。在许多实际情况下，电子设备可以建模为一个可变电阻，其在导通状态下的值非常低，而在阻断状态下的

  仿真 功率电子 转换器

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• 发布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麦格理集团出售亚利桑那州晶圆厂二号

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麦格理集团(MacquarieGroup)，负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂——晶圆厂二号的市场推广与出售。这标志着Microchip在调整其制造规模方面迈出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球领先的半导体解决方案提供商，专注于微控制器、模拟半导体、闪存等领域。公司在技术

  microchip 半导体 晶圆

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• 发布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势

  

  使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷，或氮化镓HEMT的零反向恢复电荷，使设计师能够制造比基于硅的替代品更小且高效的电力系统。然而，尽管氮化镓和碳化硅有如此多的优势，这些开关类型与经过验证的硅MOSFET或IGBT相比仍显得有些陌生。FutureElectroni

  LLC变换器 SiC MOSFET 电源开关

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• 发布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用创新X.PAK封装技术

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出的X.PAK封装尺寸紧凑，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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• 发布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合，提升电力转换性能

  

  使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC肖特基二极管SiC肖特基二极管相较于标准的硅p/n二极管提供了许多优势。一个关键优势是缺乏反向恢复损失，这种损失在p/n二极管中尤为显著，特别是在高温、快速切换和高电

  MOSFET SiC 肖特基势垒二极管

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• 发布了文章 2025-03-19 11:15

  Navitas推出全球首款双向GaN功率IC

  

  近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)，此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。纳维塔斯首席执行官兼联合创始人基恩·谢里丹在新闻发布会上指出，这款新型双向GaNIC在效率、体积、重量和成本等多个方面都达到了行业顶尖水平。纳维塔斯在大会上推出的双向Ga

  GaN Navitas 功率IC

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• 发布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技术：突破EUV光刻瓶颈的革命性解决方案

  

  为了补偿光子不足，制造商可能会增加曝光剂量，这又会延长光刻过程中停留的时间。然而，这种做法直接影响了生产效率，使得整个过程变得更慢，经济性降低。此外，随着几何尺寸的缩小以适应更小的技术节点，对更高剂量的需求也加剧，从而造成了生产力的瓶颈。DSA技术：一种革命性的方法DSA技术通过利用嵌段共聚物的分子行为来解决EUV光刻面临的挑战。嵌段共聚物由两个或多个化学性

  DSA EUV 半导体

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• 发布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能电力模块，助力降低能耗与系统成本

  

  近日，半导体技术公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能电力模块(IPM)，型号为SPM31。这款以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为基础的模块，凭借卓越的能效和功率密度，成为行业内的一项重大技术进步。新一代EliteSiCSPM31IPM在体积上保持了最紧凑的设计，相较于传统的场停7IGBT技术，具有更显著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶体管

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• 发布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：电力电子硬件在环(HIL)测试的创新解决方案

  

  “万物电气化”影响着社会和工业的各个领域。为了实现可持续性发展的经济转型，需要低成本且高效的电力电子技术来满足各种应用需求。这不仅要求为每个特定应用开发拓扑结构，还需要高效率的新型半导体技术，例如基于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的器件。电动化是能源转型的关键支柱之一。在此领域，除了成本外，转换器的尺寸、重量和功率(例如用于电池充电)也至关重要。为此，上

  HIL 宽带隙器件 测试 电动化

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