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发布了产品 2022-05-18 12:02
CGH40006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CGH40006S-AMP1 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益270浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 11:55
CGH40006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGH40006S 频段：高达 6 GHz 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益474浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 11:14
CGHV1F006S-AMP3高电子迁移率晶体管 (HEMT)X波段测试板
产品型号：CGHV1F006S-AMP3 频段：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益246浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 11:01
CGHV1F006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)C波段测试板
产品型号：CGHV1F006S-AMP1 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：17 dB208浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 10:42
CGHV1F006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CGHV1F006S 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益;580浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 10:06
CMPA0060002D氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
产品型号：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信号增益 工作电压：2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压382浏览量 -
发布了产品 2022-05-18 09:44
CMPA0060002F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板
产品型号：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压309浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 18:34
CMPA0060002F晶体管 (HEMT)
产品型号：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压特性：高击穿电压594浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 12:09
CMPA0060002F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)
产品型号：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信号增益 电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压484浏览量 -
发布了产品 2022-05-17 11:12
CMPA0530002S高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)
产品型号：CMPA0530002S 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：2.9 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压256浏览量
