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• 发布了产品 2022-05-21 17:01

  PC3M0060065L碳化硅MOSFET

  

  产品型号：PC3M0060065L 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流： 限制：99A

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• 发布了产品 2022-05-21 16:51

  C3M0045065K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0045065K 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：限制：132A

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• 发布了产品 2022-05-21 16:42

  C3M0045065D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0045065D 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：132A

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• 发布了产品 2022-05-21 16:32

  C3M0045065J1碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0045065J1 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：限制：132A

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• 发布了产品 2022-05-21 16:29

  PC3M0045065L碳化硅MOSFET

  

  产品型号：PC3M0045065L 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：132A

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• 发布了产品 2022-05-21 16:01

  C3M0025065K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0025065K 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：251A

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• 发布了产品 2022-05-21 11:41

  C3M0015065K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0015065K 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A

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• 发布了产品 2022-05-21 11:12

  C3M0015065D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0015065D 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A

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• 发布了产品 2022-05-20 11:44

  CG2H40025F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40025F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-20 11:42

  CG2H40025P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40025P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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