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• 发布了产品 2022-05-24 21:09

  C3M0040120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0040120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:03

  C3M0040120J1碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0040120J1 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-24 20:56

  C3M0032120K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0032120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-24 11:21

  CG2H80045D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 10:52

  CG2H80030D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 10:40

  CG2H80015D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 10:04

  CG2H40120F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40120F-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-24 10:01

  CG2H40120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40120F 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-24 09:58

  CG2H40120P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40120P 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-24 09:23

  CG2H40045F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40045F-AMP 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益

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