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• 发布了产品 2022-05-27 19:37

  C2M0045170D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0045170D 漏源电压：1700V 栅极 - 源极电压：-10/+25V 栅极 - 源极电压：-5/+20

  746浏览量

• 发布了产品 2022-05-27 18:44

  C2M0045170P碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0045170P 漏源电压：1700V 栅极-源极电压动态：-10/+25V 栅极-源极电压静态：-5/+20V

  697浏览量

• 发布了产品 2022-05-27 18:39

  C2M1000170D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M1000170D 漏源电压：1700V 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20

  1.2k浏览量

• 发布了产品 2022-05-25 21:44

  C3M0350120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0350120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V

  327浏览量

• 发布了产品 2022-05-25 21:36

  C3M0350120J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0350120J 漏源电压:：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-25 21:23

  C2M0280120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0280120D 漏源电压:：1200V 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20

  679浏览量

• 发布了产品 2022-05-25 21:16

  C2M0160120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0160120D 漏源电压：1200 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20

  1k浏览量

• 发布了产品 2022-05-25 21:08

  C3M0160120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0160120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压动态:：-4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-25 10:57

  CGH27030S-AMP1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH27030S-AMP1 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-25 10:56

  CGH27030S氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH27030S 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益

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