什么是三星数码自然影像技术/DNle/FED显示技术

什么是三星数码自然影像技术/DNle/FED显示技术

三星数码自然影像技术DNIe（Digital Natural Image engine），该技术开始于一个智能分析，分析输入的任何形式信号，在分析了信号源、干扰程度和缩放比之后，再对源信号进行四个过程的处理，之后输出优化后的信号。
　　这四个过程分别是：3D动态最优化，即通过3D分析对目标像素和下幅画面的相关像素进行分析，消除斑点和干扰；对比度加强，即通过自动对比度的分析和调整在合理范围内动态调整明暗对比；细节放大，即通过频率特征的改进和边缘的自然过渡，对画面的每个细节进行加强同时避免干扰和闪烁；色彩优化，即动态加强白色调与相连区域的区别，肤色的纯真度由此加强。

    Field Emission Display (or Field Effection Display)，场发射显示器（场效应显示器）。
    所谓电子发射是指电子从阴极逸出进入真空或其它气体媒质中的过程。所有物体都含有大量的电子，常态下不逸出物体，当电子获得足够的能量，足以克服阻碍其逸出物体表面的力时，便产生了电子发射。电子发射按照其获得外加能量的方式，即电子的受激发方式分为以下四种：热电子发射，光电子发射，次级电子发射及场致电子发射。
    ①热电子发射：电子靠加热物体提供能量，当温度升高，电子的无序热运动的能量随之增大，直致电子能够克服阻碍它逸出固体表面的阻力而逸出物体的发射；
    ②光电子发射：即外光电效应，与电子没有逸出物体表面的内光电效应有区别，电子靠光辐射吸收光量子能量而逸出物体产生的发射；
    ③次级电子发射：界外获得能量的电子穿入物体内部，把能量传递给物体内部的电子，使之逸出的发射方式；
    ④场致电子发射：也称自电子发射、冷发射，在物体表面加强电场以削弱阻碍电子逸出物体的力，利用隧道效应而产生的发射。
　　场致电子发射现象是在强外加电场作用下固体表面发生的发射电子的现象。它与热电子发射、光电子发射和二次电子发射的不同之处在于：热电子、光电子和二次电子的发射是由于固体内部电子获得外部给予的能量而被激发、当被激发的电子具有高于表面逸出势垒的动能时就逸出固体表面的电子发射，而场致电子发射是利用加在物体表面的强电场束削弱阻碍电子逸出物体的力，并利用隧道效应使固体向真空发射出电子，由于外加强电场使表面势垒高度降低，宽度变窄，电子穿透势垒的几率增加，因而发射电流随之迅速增加，其电子主要来自费米能级附近较窄范围的能带上。
　　场发射与其它三种电子发射有性质上的不同。热电子发射、光电子发射、次级电子发射都是以不同的形式给予物体内电子以能量，使它们能越过物体表面上的势垒而逸出。场发射的电子不是靠外部给予能量而被激发，场致电子发射或者是用外部强电场来压抑表面势垒，使得固体材料的表面势垒最高点降低，势垒宽度变窄，基于动力学原理使得电子可隧穿表面势垒而逸出（外场致发射）；或者用内部强电场使电子从金属基底进入介质层，并在介质层中得到加速而获得足够能量，不再需要另加能量就可逸出（内场致发射）。
　　外电场有两个作用：一是降低表面势垒，二是减少势垒宽度。Fowler和Nordheim用量子力学的观点解释了金属的场致发射现象，称为FN理论。半导体材料在电场中的行为比金属更为复杂，主要是由于存在电场渗透现象和更为复杂的表面态影响。人们做了许多实验表明半导体材料包括硅、金刚石薄膜的场发射基本符合FN理论，而且FN理论在物理图象上非常清楚，容易为人们所接受，因此在对半导体材料场发射结果的具体的讨论中，人们也通常采用FN理论。场致电子发射是量子力学中隧道效应的结果，体现电子波动性，由于外加电场使表面势垒高度降低，宽度变窄，电子穿透势垒的几率增加，因而发射电流随之增加，场致发射的电子主要来自于费米能级附近较窄的能带上。
　　场致电子发射的形式大体上可分为以下几种：
    ⑴尖端外场致电子发射
    ⑵介质薄膜（介质涂层）内场电子发射
    ⑶半导体内场致电子发射。