什么是雪崩光电二极管APD
光研科学强力引进新品——雪崩光电二极管APD。现有IAE、SAE和SAR系列。这几个系列的产品有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。如此高性能的APD可以很好地应用在荧光探测、激光雷达系统、光纤数据传输和条形码扫描器等方面。其出色的低噪音性能使其可以很好地应用在低光强度下对中或较高频率光的探测。
IAE系列 铟砷化镓雪崩光电二极管
描述
IAE系列雪崩光电二极管是铟砷化镓雪崩光电二极管最大商业化的应用，在1000到1650nm的波长范围内，它有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。在1550nm处的峰值响应度可以理想地应用到对人眼安全的测距，自由空间的光学通讯，光时域反射仪和高分辨率的光学相干X线断层摄影术上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内或安置在一个陶瓷的底座上。
特性
● 80或200μm有效范围
● 大于500MHz的特有带宽
● 从1000到1650nm
● 低暗电流和噪声
● 改良的TO46包装或陶瓷底座
应用
● 测距
● 光学通信系统
硅雪崩光电二极管(近红外增强型)
描述
SAE230NS系列和SAE50NS系列外延雪崩光电二极管是雪崩光电二极管中用途相当普遍的，在550到1050nm的范围内，它们有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。用于测距时，在900nm的波长下可以得到最佳的响应度。芯片被封装在一个改良过的TO46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。
特性
● 极高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>100时
● 230μm和500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
●极宽的工作温度范围
应用
● 测距
● 光学通信系统
硅雪崩光电二极管（红光增强型）
描述
SAE500VS系列外延雪崩光电二极管是雪崩光电二极管中用途相当普遍的, 在400到1000nm的范围内, 它有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。在650nm处的峰值响应度可以理想地应用到使用可视激光二极管的测距上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内。
特性
● 极高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>100时
● 500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
● 极宽的工作温度范围
应用
● 测距
● 光学通信系统
SAE系列（红光增强型）实物图
SAR3500系列 硅雪崩光电二极管
描述
SAR3500是为了获得卓越的量子效率和极高的速度，而基于拉通型结构而设计的。芯片被封装在一个改良过的TO-8包装内。SAR3500也可以和热电致冷器一起封装在TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二极管可以被应用在荧光探测器、激光雷达和医药领域。
特性
● 非常高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>1000时
● 3500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
● 极宽的工作温度范围
应用
● 医学领域
● 荧光探测器
● 激光雷达
● 分析方面
SAR3500实物图
SAR/SARP系列 硅雪崩光电二极管
描述
SAR500系列是为了获得卓越的量子效率和极高的速度，而基于拉通型结构而设计的。其在近红外区域的峰值灵敏度使其和激光脉冲二极管可以一同应用在测距中。这种雪崩光电二极管被封装在一个改良过的TO-46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。
SARP500有着极低的噪声和暗电流，适用于对亮度极暗的光线的探测，是SAR500的一个优化版。SAR500可以和热电致冷器一起封装在一个的TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二极管可以被应用在光谱、荧光探测器、激光雷达和医学等领域。
特性
●非常高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>200时
● 500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
● 极宽的工作温度范围
应用
● 测距/激光雷达
● 光学通信系统
● 激光扫描仪
● 光谱方面
● 荧光探测
● 医学领域
SAR/SARP系列实物图
Si-EPI-APDs
规格(@ M=100, 最高敏感度)
|
部件编号.
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孔镜
(微米)
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波长范围
(纳米)
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峰值灵敏度
(纳米)
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响应度
(瓦特 /安培)
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封装
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击穿电压
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击穿电压温度系数
（伏/摄氏度）
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暗电流 （纳安）
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噪声电流
（皮安/赫兹平方根）
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（皮法）
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上升
时间
（皮秒）
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SAE230Nx
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230
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550-1050
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905
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