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PIN光电二极管应用大全

2010年02月27日 09:57 www.elecfans.com 作者:佚名 用户评论(0

PIN光电二极管应用大全


产品规格: PN、PIN 、 APD、PbS、PbSe、HgCdTe
产品介绍:         四川火狐公司提供新一代高性能紫外、可见光、红外光电探测器和组件,服务于商用,军事/航空,医疗,和消费类市场。产品分类:


一、InGaAsAPD/PIN光电探测器:

1、InGaAsAPD光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,人眼安全激光测距机等。
型号:C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,仪表等。
型号:C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量窗口以及光纤封装。典型应用于光功率表,人眼安全激光通信,仪表等。
型号:C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面积)扩展波长光电探测器:(1um-2.5um)高质量陶瓷封装,提供不带制冷器、一级制冷器和二级制冷器三种封装的产品。典型应用于非破坏性检查,水汽测量,生物化学应用,环境监控等,需要相关资料,请咨询。

二、SiliconAPD光电探测器:

1、SiliconAPD标准雪崩管:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于荧光探测,小信号快速探测,LIDAR,光子计数,数据传输,仪表,自适应光学,共焦微透镜等。
型号:C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光电探测器阵列:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR,分光镜,粒子探测,自适应光学,跟踪系统等。
型号:四象限阵列C30927E、线性阵列C30985E

3、SiliconAPD低价格光电探测器:(400nm-1100nm)大量,低价格探测器。典型应用于激光测距,防碰撞系统等。
型号:低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD热电致能型光电探测器:(400nm-1100nm)带一级或者两级热电致冷器,冷却APD,减少小信号探测时的热噪声,内部集成的热电阻用来温度监控以及致冷器控制。典型应用于小信号荧光探测,光子计数,快速或者微弱信号探测,自适应光学等。型号:C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近红外增强型(1.064um)光电探测器:密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR,红外激光测距,荧光探测,快速或者小信号探测。
型号:C30954E,C30955E,C30956E

6、SiliconAPD光纤耦合型光电探测器:光纤耦合封装。典型应用于光纤数据传输,远程光传感器,小信号探测等。
型号:C30921

7、SiliconAPD辐射探测器:大光敏面积,平板封装。典型应用于直接探测光,x-Rays,电子的辐射。
型号:C30626,C30703


三、SiliconPIN光电探测器:

1、SiliconPIN窗口以及光纤封装光电探测器:(400nm-1100nm)高速,P型设计。典型应用于快速激光脉冲探测,光纤通讯,仪表等。
型号:C30971

2、SiliconPIN大面积光电探测器:(400nm-1100nm)高质量,高速度,N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统,快速脉冲探测,仪表等。
型号:FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光电探测器:(220nm-1100nm)N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于光斑位置跟踪,测量脉冲激光或者连续激光x-轴和y-轴的方向。
型号:C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN标准N型光电探测器:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统,光度计,数据传输,仪表等。
型号:C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增强型光电探测器:(220nm-1100nm)低噪声,标准N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于紫外光表,可见光表,光度计,荧光探测,分光镜,微光探测传感器,仪表等。
型号:UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon双色光电探测器:(400nm-1100nm),DTC系列包括两个探测器,密封陶瓷封装。典型应用于双波长功率表,双色温度测量等。
型号:DTC140

7、SiliconPIN表面贴装光电探测器:CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低带宽(1kHz-50kHz)光电探测模块:(220nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于紫外信号探测,光度计等。
型号:HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光谱响应光电探测器SR10SPD系列,不需要额外的滤波器,表面贴装。
型号:SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波长)、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波长)、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波长)

9、SiliconPIN/APD高带宽(40MHz-100MHz)光电探测模块:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测,仪表等。
型号:C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高带宽(50MHz-200MHz)光电探测模块:(400nm-1700nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测,仪表等。
型号:C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2(C30659E-CD2982)


四、SiliconPN硅光电池:

  VTB系列紫外增强硅光电池(190nm-1100nm),增强光谱从UV(190nm)-NearIR(900nm),高阻抗,低噪声,低暗电流,适合光电型、弱信号探测应用。有效探测面积从1.6mm²— 37.7mm²。封装型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封装,石英和紫外窗口陶瓷封装。典型应用:紫外、可见、红外分光光度计、生化分析仪、验钞机、紫外曝光表、紫外水质净化、荧光探测,以及其它分光镜应用。

        VTP系列,VTS系列硅光电池探测器,低价格,极好的光电流线性,快速响应时间,探测可见光以及近红外光源,例如LED,氖灯,荧光灯,NIR激光管,火焰,阳光以及其它光源。典型应用:NIR传感器,医疗红外传感器,红外安全设备,工业用红外传感器,红外接近传感器,红外激光探测器。

        VTA系列硅光电池探测器阵列,64单元。


五、波长传感器(450-900nm),可准确检测确定单色激光或者LEDS光源的单色光的波长,与其他同类产品不同的是,其输出不受所测光线强度的影响,光谱分辨率:0.01nm。


六、红外光电探测器(探测器类型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe),能够灵敏探测在0.2-40+microns波长范围内的红外光,以其在长波长方面的高灵敏度和快速探测,具有独特的优势。这些探测器工作在室温或者TE-Cooled情况下,各种TO类型封装。典型应用:脉冲、调制和连续CO2激光辐射探测和监控,外差式检波探测,2to12µm低频和高频调制辐射探测,激光测量,激光预警接收器,激光雷达、激光测距和激光通讯,追踪、定位系统,行扫描仪,快速多色高温计,红外分光光度计,热成像扫描仪,遥感,气体分析,火焰探测器,人体探测等。

  如果需要硅(Si)、锗(Ge)、铟稼砷(InGaAs)、硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)、锑镉汞(HgCdTe)等探测器的相关资料,请随时联系!


 

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