您好,欢迎来电子发烧友网! ,新用户?[免费注册]

您的位置:电子发烧友网>电子百科>半导体技术>基础知识>

TVS器件的电特性有哪些

2010年02月26日 17:26 www.elecfans.com 作者:佚名 用户评论(0

TVS器件的电特性有哪些

(1)单向TVS的V-I特性

如图1所示,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到VC值所对应的曲线段表明,当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上。

image:bk064932d-1.jpg

(2)双向TVS的V-I特性

如图2所示,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压VC就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。

非常好我支持^.^

(0) 0%

不好我反对

(0) 0%

相关阅读:

( 发表人:admin )

      发表评论

      用户评论
      评价:好评中评差评

      发表评论,获取积分! 请遵守相关规定!